P55NF06, по своим характеристикам, является низковольтным силовым n-канальным полевым MOSFET-транзистором. При своих небольших габаритах, он способен выдерживать довольно высокие напряжения (VDS до 60 В) и токи (ID до50 А). При этом, обладает очень низким сопротивлением во включённом состоянии (RDS(on) до 18 мОм).
Рассматриваемый MOSFET, его полное наименование STP55NF06, согласно данных из datsheet от производителей, рекомендуется использовать в: усилителях сигналов звуковой частоты, блоках управления двигателями, преобразователях тока DC-DC и DC-AC.
Цоколевка
Расположение выводов у P55NF06 зависит от типа корпуса, в котором он размещен. У наиболее распространенной версии в корпусе ТО-220 распиновка следующая: слева затвор (З), посередине сток (С), справа исток (И). Последний имеет физическое соединение с металлической подложкой. Как выглядит устройство и его цоколевка представлены на изображении ниже.
Кроме транзистора в корпусе ТО-220 и его более новых, современных модификаций (ТО-220FP, ТО-251 и др.), существуют также версии для поверхностного монтажа на плату. Они представлены в пластиковых упаковках D2PAK и ТО-252. Металлическая подложка у таких устройств является истоком (И).
Абсолютные характеристики P55NF06:
- dv/dt скорость нарастания напряжения с течением времени на стоке 7 В/нС;
- напряжение между выводами:С-И (VDS) до 60 В; З-И (VGS) до ±20 В;
- рассеиваемая мощность (PTOT) до 110 Вт;
- ток стока: постоянный (ID) до 50 А (ТС=+25 ОС), до 30 А (ТС=+100 ОС);
- импульсный ток стока (IDM) до 200 А;
- рабочая температура кристалла (TJ) от -55 О до +175 ОC;
- температура хранения (TSTG) от -55 О до +175 ОC.
Необходимо отметить, что у транзисторов, размещенных в монолитном пластиковом корпусе ТО-220FP предельная мощность рассеивания (PTOT) значительно меньше и не превышает 30 Вт. Для них (в datasheet) дополнительно показана величина максимального напряжения изоляции (VISO), которое составляет 2500 В. Остальные параметры практически полностью идентичны характеристикам устройствами в упаковке ТО-220 с металлической подложкой.
Эксплуатация рассматриваемого MOSFET на более высоких знамениях параметров, чем указано выше, не допускается. Превышение абсолютных характеристик чаще всего приводит к выходу изделия из строя. Для снижения вероятности перегрева, устройство необходимо устанавливать на радиатор.
Аналоги
Для подмены P55NF06 возможно подойдёт его полный аналог — IRFZ48R. Последний выпускается сейчас и с другой маркировкой SiHFZ48R. Также в качестве замены можно посоветовать следующие транзисторы: FQP55N, FQP55N06, HUF75332P3, IRFZ46N, IRFZ48N, SUP60N06-18.
У отечественных производителей, изделий подходящих по своим параметрам в качестве в замены в настоящее время нет.
Производители и datasheet
Впервые P55NF06 был представлен миру европейским производителем электронных компонентов ST Microelectronics (STM), которая до настоящего времени остается основным его производителем. При создании рассматриваемого MOSFET использовалась запатентованная компанией-изготовителем фирменная технология STripFET, с помощью которой добиваются значительного снижения сопротивления перехода в открытом состоянии (RDS(on)), высокой лавиной устойчивости и энергоэффективности.
Вместе с STM устройства-клоны с аналогичной маркировкой и параметрами выпускают и другие производители. К ним относятся в основном компании китайского происхождения: SGT-THOMSON MICROELECTRONICS; Inchange Semconductor; Thinki. Скачать datasheet на P55NF06 можно по соответствующей ссылке с названием компании.