По своим характеристикам, 2SD667 является биполярным кремниевым полупроводниковым транзистором с NPN-структурой. Он обладает неплохим коэффициентом усиления HFE (60-320), большой рассеиваемой мощностью (Pc до 900 мВт), пропускной способностью для постоянного напряжения (Vce до 80 В) и тока (Ic до 1 А). Считается высокочастотным устройством (fгр до 140 МГц) разработанным для применения в различных электронных приложениях (усилителях звука, аппаратуре связи, радиосистемах, и другом промышленном оборудовании широкого назначения).
Распиновка
Расположение выводов (распиновка) транзистора 2SD667 зависит от того, в каком корпусе он выполнен. Считается, что первые версии изготавливались в пластмассовом корпусе ТО-92MOD. Внешний вид таких устройств и цоколевка представлены на изображении ниже.
В настоящее время аналогичные устройства можно найти в продаже в корпусах: ТО-92, ТО-92HL, SOТ-23 и ТО-236. Материал, из которого изготовлена пластиковая оболочка, соответствует требованиям стандарта по огнестойкости UL 94 V-0.
Абсолютные характеристики 2SD667
- напряжение: коллектор-эмиттер (Vceo) до 80 В, эмиттер-база (Vebo) до 5 В;
- напряжение: коллектор-база (Vcbo) до 120 В;
- максимальный ток: коллекторный (Ic) до 1.0 А, импульсный (Icp) до 2.0 А;
- ток базы (Ib) до 0.5 А;
- предельная мощность на коллекторе (Pc): 0.9 Вт;
- температура: перехода (Tj) до +150 °C, хранения (Tstg) от -55 °C до +150 °C.
Вышеуказанные параметры считаются максимально возможными. У устройств в корпусе SOT-23 предельная мощность на коллекторе (Pc) составляет не более 0.35 Вт. Превышение представленных значений может привести к выходу изделия из строя.
При изучении максимальных параметров следует учитывать классификацию 2SD667 по максимальному коэффициенту усиления по току (HFE): B (60-120); С (100-200); D (200-320).
Маркировка
На внешней стороне корпуса у рассматриваемого транзистора чаще всего присутствует только маркировка D667. Первые два символа «2S», из полного обозначения, производители обычно не указывают. У более новых безсвинцовых устройств на пластиковой упаковке в большинстве случаев имеется буква «P», у безгалогенных – «HF» (в соответствии с европейским экологическим стандартом RoHS).
У некоторых компании в конце маркировки безсвинцовых транзисторов присутствует символ «L» Наличие буквы «G» указывает на использовании дополнительно безгалогенных технологий.
Фонари серии фпс-4/6 оснащены тремя режимами работы, защитой от КЗ, автоматическим контролям заряда. Также их удобно носить, а защита от влаги позволяет применять в различных погодных условиях.
Аналоги
Для замены неисправного 2SD667 можно подобрать подходящий аналог. Для этих целей, практически полностью идентичными являются транзисторы: 2SC2235, 2SD647, 2SC1627, 2SC1673, 2SC1900, 2SD790. Ближайшими по параметрам устройствами считаются: KTD1863, STX715. К сожалению, многие из них уже давно отсутствуют в продаже.
У российских производителей полных аналогов 2SD667 нет.
Производители и datasheet
Одним из первых производителей 2SD667 считается японская Hitachi Semiconductor. В настоящее время такие транзисторы выпускают следующие зарубежные компании: Micro Commercial Components (MCC), UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD (UTC), Renesas Technology America. Скачать datasheet в pdf-формате можно по соответсвующей ссылке с наименованием изготовителя.
