Характеристики транзистора IRF730

Согласно техническим характеристикам, IRF730 – это мощный N-канальный MOSFET транзистор с кремниевым изолированным затвором и внутренним диодом. Он разработан компанией International Rectifier (IR) с применением фирменной технологии HEXFET. Обычно устанавливается в импульсных БП, всевозможных преобразователях, схемах управления электродвигателей и высокоскоростных силовых коммутационных цепях с возможностью управления напряжением (V_DS) до 400 В с током (I_D) до 5.5 А.

Цоколевка

IRF730 производят в корпусе ТО-220 и его различных модификациях, с учётом современных требований. Расположение гибких металлических выводов (слева на право): 1 – затвор (З), 2 – сток (С), 3 – исток (И). Более наглядно информация об устройстве и цоколевка представлена на изображении ниже.

Современные изделия имеют корпус изготовленный с применением безсвинцовых технологий (Pb-Free) и европейских экологических норм RoHS.

Абсолютные характеристики IRF730

• сопротивление во включенном состоянии (R_DS(on)) до 1.0 Ом;
• импульс на восстанавливающемся диоде (dv/dt) до 4.6 В/нс;
• ток стока: постоянный (I_D): 5.5 А (при +25^ОС), до 3,5 А (при + 100 ^ОС);
• пиковый ток стока (I_DМ) до 22 А, в лавинных условиях (I_AR) до 5.5 А;
• рассеиваемая мощность (P_D) до 74 Вт (с использованием радиатора);
• напряжение между выводами: С-И (V_DS) до 400 В, З-И (V_GS) до ± 30 В;
• рабочая температура кристалла (T_J) и хранения (T_STG) от –55 до +150 ^ОC.

Перечисленные параметры являются предельно возможными для рассматриваемого MOSFET. Одновременное, даже незначительное и кратковременное, превышение двух и более значений характеристик может привести к перегреву кристалла и корпуса изделия. Довольно часто в этих случаях устройство выходит из строя.

Необходимо отметить, что отдельные производители в своих технических описаниях (datasheet) указывают на максимальную рассеиваемая мощность (P_D) для изделий в корпусе ТО-220 не более 50 Вт.

Особенности

Основной особенностью и главным достоинством рассматриваемого MOSFET- транзистора является довольно низкое сопротивление во включённом состоянии (R_DS(on)). При хорошем охлаждении (при T_J = +25 ^ОС) оно не превышает 1 Ом, у некоторых производителей не более 0.75 Ом. Такое  R_DS(on) характерно практически для всех устройств разработанных по фирменной технологии компании IR — HEXFET.

К сожалению, при работе изделия значение R_DS(on) увеличивается. Это происходит вместе с повышением температуры кристалла и окружающей внешней среды. При сильном нагреве (более T_J =+100 ^ОС) величина R_DS(on) может достигать 1.7 Ом и выше.

В целях недопущения случаев перегрева и достижения стабильной работы мощных силовых транзисторов, производителем предусмотрена возможность их пассивного охлаждения. У рассматриваемого MOSFET, для этих целей, имеется металлическая подложка со специальным отверстием под винт. Установку на радиатор следует проводить через специальную слюдяную прокладку.

Аналоги

Полным аналогом IRF730 является MOSFET-транзистор SiHF730 от компании Vishay Siliconix. В качестве альтернативы можно также рекомендовать: IRF720, SiHF720, IRF740, SiHF740, STP7NK40Z, Si9933, HAT1024R, STS3DPF20V, HAT3004, STP7NK40Z, STS5DNF20V, FDS9936A, HAT2016R. У отечественных производителей тоже есть варианты замены, к которым можно отнести: КП730, КП752А.

Datasheet и производители

Ознакомится с datasheet на IRF730 можно по соответствующей ссылке с наименованием компании-производителя. Основными из них являются:

• First Components International;
• Fairchild;
• First Silicon;
• NXP Semiconductors;
• Dc Components;
• Intersil Corporation;
• New Jersey Semi-Conductor Products;
• Suntac Electronic;
• ST Microelectronics;
• Advanced Power Electronics.

• В российских магазинах также можно найти продукцию:
• Vishay Siliconix;
• Inchange Semiconductor;
• International Rectifier.