В соответствии с техническими характеристиками, IRFZ48N – это n-канальный, мощный MOSFET-транзистор. Благодаря встроенным стабилитронам он обладает защитой от электрических разрядов до 2 кВ. Имеет очень низкое сопротивление во включённом состоянии и высокую скорость переключений. Выделяется хорошей надёжностью для применения в самых разнообразных приложениях. Устанавливается преимущественно в импульсных блоках питания и коммутационных схемах.
Рассматриваемый полупроводниковый триод выполнен с применением очень известной во всем мире технологии HEXFET®, разработанной американской корпорацией International Rectifier.
Цоколевка
Практически все производители выпускают IRFZ48N в корпусе ТО-220AB. Для того, чтобы определить распиновку, необходимо расположить транзистор так, чтобы видеть его маркировку, при этом гибкие металлические ножки должны находиться в нижней части. Назначение выводов, в этом случае, будет (слева на право): затвор (З), сток (С), исток (И). Внешний вид, основные параметры, цоколевка представлены на рисунке ниже.
Технические характеристики
Знакомство с техническими характеристиками IRFZ48N лучше начинать с абсолютных величин параметров. При этом, не стоит эксплуатировать транзистор ориентируйся только на данные значения. Дело в том, что они справедливы только для идеальных условий применения, о чём многие производители в своей технической документации (datasheet) указывают дополнительную информацию.
Абсолютные
Абсолютные характеристики IRFZ48N (при ТА=+25°С):
- ток стока (при VGS = 10 В): IDmax до 64 А (при ТА= +25°С); IDmax до 45 А (при ТА= 100°С);
- кратковременный ток стока IDMmax до 210 А;
- рассеиваемая мощность РDmax до 130 Вт;
- напряжение затвор-исток VGS до ±20 В;
- лавинный ток IAR до 32 А;
- температура: хранения Tstg ~ -55 … +175°С; кристалла Tj до +175°С.
Необходимо учитывать, что приведённые выше абсолютные параметры указывают только на предельные возможности рассматриваемого транзистора. При их достижении, в процессе работы, существует большая вероятность выхода изделия из строя. Даже кратковременная эксплуатация на максимальных режимах нежелательна.
При работе MOSFET сильно греется, при этом его эксплуатационные свойства ухудшаются. Поэтому, в целях достижения оптимальных условий применения и создания благоприятных температурных режимов, производители рекомендуют устанавливать его на радиатор охлаждения.
Электрические
Для понимания штатных возможностей транзистора IRFZ48N, необходимо ознакомится с таблицей его электрических параметров. Именно в ней отражены наиболее приемлемые режимы эксплуатации, а также минимальные и максимальные значения характеристик. Все величины справедливы для Тj=+25oC.
Аналоги
Полным аналогом IRFZ48N считается STP60NF06. Ближайшими по функционалу и техническим параметрам считаются полевые транзисторы: BUZ102S, STP55NF06. В качестве возможной замены можно рекомендовать BUZ102SL.
Производители
Сейчас производство IRFZ48N и ему подобных устройств осуществляется по согласованию и лицензиям компании Infineon Technologies. Некоторое время назад (в 2015 г.) она поглотила International Rectifier. Скачать datasheet на устройство можно по ссылке.
