Согласно характеристикам из datasheet, P4NK60ZFP представляет собой мощный (PD до 25 Вт) полевой N-канальный MOSFET-транзистор, способный управлять большими напряжениями (VDS до 600 В) и током (ID до 4 А). Его основным разработчиком и производителем является компания STMicroelectronics (STM). При создании использовалась запатентованная её технология SuperMESH™, которая обеспечивает незначительное сопротивление включения (RDS(on) до 2 Ом) и высокую пропускную способность (dv/dt) в наиболее высокопроизводительных приложениях коммутации.
Полная маркировка рассматриваемого транзистора — STP4NK60ZFP. При этом, первые два символа «ST» на корпусе изделия производитель не указывает. У оригинальных изделий, на внешней стороне пластиковой упаковки, имеется логотип компании STM.
Цоколевка
Транзистор P4NK60ZFP оснащен корпусом TO-220FP, его цоколевка (слева на право): 1-затвор (G), 2-сток (D), 3-исток (S). Между выводами D и S установлен дополнительный защитный стабилитрон. Внешний вид, основные параметры и полная распиновка показаны на изображении.
Корпус предназначен для дырочного монтажа на плату. Помимо SuperMESH™, при изготовлении изделия также используется хорошо зарекомендовавшая себя фирменная технология PowerMESH™ от STM. Более подробнее абсолютные характеристики рассмотрим далее.
Абсолютные характеристики P4NK60ZFP
- предельное выдерживаемое напряжение изоляции (VISO) до 2500 В;
- максимальное напряжение между выводами: D-S (VDS) до 600 В, G-S (VGS) до ±30 В;
- постоянный ток стока (ограничен температурой перехода) (ID): до 4.0 А (ТС=+25 ОС), до 2.5 А (ТС=+100 ОС);
- импульсный ток стока (IDM) до 16 А (при ширине импульса в пределах безопасной рабочей зоной (SOA));
- рассеиваемая мощность (PTOT) до 25 Вт;
- встроенная защита от электростатического разряда (ESD) до 3 кВ (при С= 100 пФ, R=1.5 кОм);
- dv/dt скорость нарастания напряжения с течением времени на стоке 4.5 В/нС;
- температуры: перехода (TJ) от -55 до +150 ОC, хранения (TSTG) от -55 до +150 ОC.
Эксплуатация изделия при более высоких, чем указано выше, значениях параметров не допускается. Превышение одной и более величин может привести его сильному перегреву, повреждению корпуса и кремниевой структуры кристалла. Для снижения риска роста температуры, транзистор целесообразно устанавливать (крепить через специальное отверстие в корпусе) на радиатор охлаждения.
Большой ассортимент контроллеров от компании «ИНЕЛСО», ознакомится с каталогом можно тут https://inelso.ru/catalog/kontrollery/.
Аналоги
Зная характеристики рассмотренного транзистора P4NK60ZFP, аналог для него подобрать не сложно. Очень похожими параметрами обладают: 2SK3567, FQPF5N60С, FDPF4N60NZ, IRFIBC30G. Также подойдут в качестве замены, однако давно сняты с производства: 2SK1637, 2SK2003, 2SK2097, 2SK2563, 2SK3114.
У российских производителей, к сожалению, подходящей альтернативы для замены нет.
Производители и datasheet
Скачать datasheet на рассмотренный в статье p4nk60zfp (в PDF-формате) можно по следующей ссылке. До настоящего времени его основным производителем остается европейская компания, занимающаяся микроэлектронными компонентами, STMicroelectronics (STM). На отечественном рынке её продукция представлена довольно широко.
