Характеристики транзистора КТ818Г

Технические характеристики КТ818Г позволяют говорить о нём, как о мощном биполярном транзисторе. Это кремниевый полупроводниковый триод с PNP-структурой, сделанный по эпитаксиально-планарой технологии. Применяется преимущественно в ключевых и линейных схемах. Имеет пластмассовый корпус. Относится к широко известной отечественной серии КТ818, которая появилась в начале 80хх.

Цоколевка

У пластмассового корпуса КТ-28 (ТО-220) транзистора КТ818Г следующая цоколёвка – ЭКБ. Масса упаковки не превышает 2,5 г. В задней части имеется металлическое основание, с возможностью крепления к радиатору.

Вывод коллектора (К) физически соединен с металлическим основанием.

Технические характеристики

КТ818Г является самым мощным транзистором в своей серии, если не брать во внимание устройства в металлостеклянном корпусе. Среди своих собратьев он способен выдерживать наибольшее возможное напряжение между коллектором (К) и эмиттером (Б) (U_{кэ макс}), однако имеет самый низкий коэффициент усиления по току (H_21э). Далее рассмотрим максимальные параметры поподробнее.

Максимальные параметры

Максимальные параметры КТ818Г:

• постоянное напряжение: К-Э U_{кэ макс} до 90 В (при R_эб < 1 кОм); К-Б U_{кб макс} до 90 В; Э-Б U_{кэ макс} до 5 В;
• коллекторный ток: I_к до 10 А; импульсный I_{к имп.} до 15 А;
• ток базы: I_б до 3 А; импульсный I_{б имп.} до 5 А;
• рассеиваемая мощность ограничена корпусом (при Т_Корп. до +25 ^oC)  P_{к макс} до 1,5 Вт; до 60 Вт (с радиатором);
• диапазон температур окружающей среды (Т_{окр. среды}): -40 … +100 ^oC;
• температура кристалла до +125 ^oC.

Превышение указанных максимальных параметров недопустимо, чаще всего приводит к порче и выходу устройства из строя. Для переменного тока длительность импульса (t_и) должна быть менее 10 мс, а скважности (Q) более 100.

Для предотвращения перегрева устройства, особенно при больших нагрузках, желательно применение радиатора. В случае превышения Т_Корп. более +25 ^oC рассеиваемая на коллекторе мощность  P_{к макс}  снижается линейно на 0,015 Вт/ ^oC, с применением теплоотвода на 0,6 Вт/оС.

При монтаже на плату, находящуюся под напряжением, вывод базы (Б) должен паяться в первую очередь, а отпаиваться в последнюю. Допустимый статический потенциал до 1 кВ.

Электрические параметры

Ниже представлены основные электрические характеристики взятые из даташит на КТ818Г белорусского предприятия электронной промышленности ОАО «Интеграл». Аналогичные параметры будут и у других современных производителей. Все значения представлены для температуры окружающей среды до +25 ^oC.

Аналоги

Многие радиолюбители, разочаровавшиеся в качестве отечественного КТ818Г, ищут его импортный аналог, но не находят полноценной замены. Вместе с тем, технологии изготовления подобных устройств ушли далеко вперёд и на рынке как отечественной, так и зарубежной радиоэлектроники появилось много достойных для него альтернатив. Вот самые популярные: BD304, MJE2955T, 2SA1962, MJL21193, MJL21195, 2SA1386, BD911, 2SA1943N. С меньшим коллекторным током возможной заменой могут быть: 2N6107, TIP42С.

Из отечественных транзисторов функциональным аналогом считается КТ8102. Немного другой корпус (КТ-431) имеет новый КТ818Г1, но по остальным характеристикам он практически идентичен рассматриваемому. В случае наличия места на плате, можно рекомендовать более мощный транзистор в металлостеклянном корпусе КТ818ГМ (он же зарубежный BDX18).

Производители

В зависимости от производителя и даты изготовления, параметры рассматриваемого транзистора могут незначительно отличаться как в лучшую, так и в худшую сторону. Считается, что изделия, выпущенные до 1990 г. были более качественными. КТ818Г продолжают выпускать на российском предприятии АО «Группа Кремний ЭЛ» и белорусском ОАО «Интеграл». Скачать даташит 1982 года возможно по ссылке, а более новую версию тут.