Характеристики транзистора КТ815Г говорят о том что, это мощный низкочастотный биполярный полупроводниковый триод. Имеет n-p-n структуру. Изготавливается из кремния по планарной технологии. Применяется преимущественно в различных схемах в ключевом режиме, бытовых электронных приборах широкого назначения. Относится к советской отечественной серии транзисторов КТ815.
Цоколевка
Распиновка КТ815Г зависит от корпуса, в котором размещен он размещен. Изготавливается в двух видах пластиковой упаковки КТ-27 (ТО-126) и КТ-89 (DPAK). КТ-27 имеет три жестких металлических вывода со следующим назначением: эмиттер (Э), коллектор (К), база (Б).
У КТ-89 два нижних контакта (слева на право) – Б и Э, а сверху — К.
Технические параметры
КТ815Г является самым мощным, по своим параметрам, транзистором в указанной выше серии. По сравнению со своими “соплеменниками” он способен выдерживает более высокие напряжения (до 100 В), при этом имеет самый низкий статический коэффициент передачи по току H21Э (от 30). Рассмотрим подробнее его максимальные характеристики:
- напряжение между: К-Э до 100 В (при RЭБ до 100 Ом); Э-Б до 5 В;
- ток коллектора: постоянный до 1.5 А; импульсный до 3 А;
- ток базы до 0.5 А;
- мощность рассеивания на коллекторе: до 10 Вт (c теплоотводом); до 1 Вт (без радиатора);
- граничная частота коэффициента передачи тока (для схем с общим эмиттером) до 3 МГц;
- температура: p-n-перехода до +150 ОС; диапазон для окружающей среды от -60 до +125 ОС;
- масса до 0.9 гр.
В последнее время бывают случаи, когда коэффициент передачи по току H21Э у разных КТ815Г, взятых даже из одной партии, имеет большой разброс по своим значениям. Из-за этого, многие радиолюбители стараются не применять данное полупроводниковое устройство в своих схемах.
Электрические
Ниже приведен полный перечень основных электрических параметров КТ815Г, согласно технического описания. Он сформирован с учетом тестирования устройства производителем при температуре окружающей среды не более +25 ОС. Режимы измерения, указаны в отдельном столбце таблицы.
В основных параметрах КТ815Г производители не указывают значения теплового сопротивления перехода “кристалл-корпус”. Между тем принято считать, что оно составляет (для этой серии) порядка 10 °C/Вт. Если это так, то при указанной в техописании рассеиваемой мощности в 10 Вт, температура кристалла может доходить до 150 °C и устройство чаще всего выходит из строя.
Комплементарная пара
Комплементарной парой с p-n-p-структурой является КТ814Г.
Аналоги
Аналогами популярного КТ815Г, в корпусе ТО-126, являются следующие транзисторы: BD13910STU, BD139-10, TIP29C, TIP61C, BDC01D. Несмотря на идентичность, последние уступают рассматриваемому по максимальному пропускаемому напряжению между выводами К и Э (до 80 В). Похожими по своим параметрам считаются отечественные: КТ817В, КТ8272В, КТ961А. Для устройств в упаковке КТ-89 достойной замены нет.
Производители
КТ815Г выпускаются следующими производителями: белорусским заводом “Интеграл” г.Минск и российским предприятием “Кремний” г.Брянск. Для того, чтобы скачать DataSheet в формате pdf кликните по ссылке с наименованием компании-изготовителя.
Стою на асфальте я в лыжи обутый. Или лыжи не едут или цоколевка горбатая???
Горбатая:) У КТ815Г- ЭКБ.
У вас ошибка в цоколевке тразистора кт815г . идет 1-эмитер 2-коллектор 3-база. а у вас наоборот!
Денис спасибо за замечание. Действительно у КТ815г цоколевка ЭКБ. К сожалению, изначально ориентировались на информацию взятую из буклета АО Группы Кремний, а она оказалась неверной.