Транзистор IRFZ24N

По своим техническим характеристикам IRFZ24N является мощным n-канальным МОП (MOSFET) транзистором. Он изготавливается по технологии HEXFET® пятого поколения, разработанной компанией International Rectifier (IR). Этот способ производства позволяет добиться минимального сопротивления n-канала полевика, при большой скорости переключения и высокой надежности. Благодаря этим преимуществам хорошо подходит для использования в импульсных блоках питания, системах управления электрическим приводом.

Многие путают рассматриваемое устройство с транзистором IRFZ24. Имейте ввиду, что последний имеет близкие по своим значениям, но все же немного другие параметры.

Цоколевка

Распиновка IRFZ24N у большинства производителей выполнена в стандартном пластиковом корпусе ТО-220AB, с максимальной рассеиваемой мощностью около 50 Вт. Благодаря низкому тепловому сопротивлению и невысокой стоимости эта упаковка завоевала широкое распространение. Расположение выводов показано на рисунке. Цифрой 1 обозначен затвор (G), под номером 2 – сток (D), 3 – исток (S). Радиатор имеет характерное отверстие для крепления устройства на печатную плату и физический контакт со стоком.

irfz24n распиновка

На российском рынке встречаются и более совершенные транзисторы данного типа. Таким устройством является IRFZ24N, также в корпусе ТО220AB, от компании Philips Semiconductor. Они отличаются от классических тем, что выпускаются с применением так называемой «траншейной» технологии  (Trench MOSFET) и имеют в сравнении с ними немного лучшие характеристики. Например, сопротивление открытого n-канала у них меньше, чем у обычного планарного полевого транзистора MOSFET. Кроме того предусмотрена защита от электростатических разрядов, при использовании в импульсных источниках питания до 2 кВ.

Технические характеристики

Рассмотрим максимально возможные характеристики MOSFET-транзистора IRFZ24N:

  • напряжение сток-исток (VDSS max) до 55 В;
  • сопротивление открытого N-канала (RDS (ON)) до 0.07 Ом;
  • допустимый рабочий ток стока(ID max): при температуре кристалла TC = +25ОС до 17 А; при TC = +100ОС до 12 А;
  • пиковый (импульсный) ток стока (Imax) — 68 А;
  • рассеиваемая мощность при TC = +25ОС (PD) — 45 Вт;
  • предельно допустимое отпирающее напряжение между затвором и истоком (VGS max) ±20 В;
  • максимальная энергия единичного импульса (EAS) – 71 мДж;
  • пиковый неповторяющийся ток, допустимый в лавинных условиях (IAR) – 10 А;
  • неповторяющаяся энергия, которая может быть рассеяна в условиях лавинного пробоя (EAR) – 4,5 мДж;
  • наибольший возможный импульс на восстанавливающемся диоде dv/dt – 5.0 В/нс;
  • диапазон температур, при которых может храниться изделие от — 55 до +175 °C;
  • температура пайки (не более 10 секунд) – 300 (на расстоянии 1,6 миллиметра от упаковки).

При этом надо знать, что реальные рабочие значения у устройства должны быть меньше предельно допустимых примерно на 20-30%.

Электрические

Электрические параметры IRFZ24N приведены в таблице ниже. Других значения при которых производились измерения, приведены в отдельном столбе. Температура перехода (TJ) равна +25ОС, если не указано другого.электрические параметры irfz24n

Аналоги

Полным аналогом irfz24n считается транзистор STB140NF55 (STMicroelectronics) . Правда у них корпус ТО220, но расположение выводов (распиновка) совпадает с оригиналом. В большинстве случаев, при его использовании, не потребуется вносить дополнительных изменений в схему. А вот еще возможные варианты замены для рассматриваемого устройства с похожими параметрами: 2SK1114, BUZ10, BUZ101, BUZ101S, BUZ104, BUZ104S, HUF75307P3, HUF75309P3, IRFZ24A, MTP15N06V, MTP20N06V, RFP14N05, RFP14N06, RFP15N06, SFP16N06, STP140NF55, STP16NE06, STP20N06, STPNE06, STP20NF06, 2SK2311, IRFIZ24A, 2SK2311, IRFWZ24A, STB16NF06LT.

Производители

Выпуском этого изделия занимаются такие зарубежные фирмы: Inchange Semiconductor, International Rectifier, TRANSYS Electronics, Philips Semiconductors, ARTSCHIP ELECTRONICS, Kersemi Electronic, NXP Semiconductors.

В России продаются транзисторы, изготовленные следующими компаниями: International Rectifier, Philips Semiconductors. Нажав на название можно скачать datasheet на irfz24n от интересующего производителя.

Оцените статью
СхемаТок
Добавить комментарий

  1. kelvin phitrow

    Как определить пограничную частоту работы полевика?

    Ответить
    1. Константин Ч автор

      Граничную частоту работы (переключений) полевика можно рассчитать самостоятельно по формуле 1/( tdon+ tdoff). Например для irfz24n общее время (задержка включения/выключения) составит tdon+ tdoff = 4.9 нСек + 19 нСек = 23,9 нСек. 1/(23,9*10^-9) = 41 МГц. При этом КПД будет низким и сигнал пилообразным, а не прямоугольным. Обычно ориентируются на частоты раз в 10 меньше, т.е. для нашего примера получится около 4 МГц.

      Ответить
Adblock detector