BU508, согласно техническим характеристикам, является кремниевым транзистором NPN-структуры. Выделяется высокой стабильностью в работе и стойкостью параметров при изменений температуры окружающей среды. Его применяют в блоках горизонтального отклонения цветных телевизионных приёмников с большим экраном, импульсных источниках питания и высокочастотных инверторах.
Цоколевка
BU508 производится в корпусах следующих типов: TO-3PN, TO-247 и их различных модификаций. Для определения распиновки необходимо расположить транзистор контактами вниз, лицевой частью (со стороны маркировки) к себе. В этом случае назначение выводов будет следующим (слева на право): 1-база (Б), 2-коллектор (К), 3-эмиттер (Э). Более подробная информация показана на рисунке.
Отверстие в корпусе устройства предусматривает крепление на радиатор с помощью одного винта. Металлическая подложка (при наличии) физически соединена с выводом К.
Технические характеристики
Знакомство с техническими характеристиками BU508 начнём с предельно допустимых (абсолютных) значений параметров. Практически все изготовители данного устройства, при небольших габаритах корпуса, отмечают его способность выдерживать очень большие напряжения (VCEO до 1500 В) и высокую производительность при переключениях (fгр. до 7 МГц). Постоянный коллекторный ток может достигать (IC) до 8 А. Рассмотрим более подробно их ниже.
Максимальные
Максимальные характеристики BU508 (при ТА=+25°С):
- напряжение между выводами: К-Б VCBO (Uкб max) до 1500 В; К-Э VCЕO (Uкэ max) до 700 В; Э-Б VЕВO (Uэб max) до 10 В;
- коллекторный ток: IC (Iк max) = 8 А; импульсный ICM max (Iк пик) = 15 А;
- рассеиваемая мощность PD (Рк max) до 125 Вт;
- тепловое сопротивление PN-переход-корпус (Rth j-c) = 1 °С/Вт;
- температура: при хранении на складе (Tstg) — 65 … 150°С; PN-перехода (Tj) до +150°С.
Необходимо отметить, что единовременно превышать у устройства (при работе) значения двух и более из указанных параметров не допускается. Длительная работа на предельных значениях приводит к нестабильной работе и последующему выходу устройства из строя. Все значения представлены для условий эксплуатации при температуре окружающей среды (TА) не выше +25°С.
Электрические
Наряду с абсолютными параметрами, не менее важными являются электрические характеристики BU508. Производители указывают их в своих datasheet с учётом условий измерений, которые представлены в отдельном столбце таблицы. Все значения актуальны для TА не выше +25°С.
Аналоги
Подобрать подводящий аналог для BU508 в настоящее время несложно. Наиболее распространенными транзисторами с похожими характеристиками являются: 2SD1555, BU2508A, BUL416. Из отечественных устройств можно рекомендовать в качестве замены: КТ872А, КТ872Б, КТ872В, КТ872Г, КТ8107А, КТ846.
Производители
В настоящее время основными производителями BU508 являются следующие компании: Mospec; NellSemiconductor; Savantic. В интернет-магазина можно встретить продукцию: Inchange Semiconductor Company Limited; New Jersey Semi-Conductor Products. Скачать datasheet одного из них можно по ссылке.
