Характеристики биполярного, кремниевого транзистора bd140 говорят о том что, он PNP-структуры, низкой частоты и средней мощности. Основное применение находит в каскадах усиления звуковой частоты, различных преобразователях и импульсных источниках питания. Особую славу приобрел за счет использования в устройствах термостабилизации усилителей мощности, так как зависимость коллекторного тока от температуры у него сравнительно выше, чем у аналогичных.
Цоколевка bd140
Выпускается большинством производителей в пластиковом корпусе ТО-126 (SOT-32) без использования радиатора. Он же обновленный корпус TO-225AA по в классификации JEDEC . BD140 имеет следующую нумерацию контактов:
1.Эммитер (E);
2.Коллектор (C);
3.База (B).
Основные технические характеристики
При температуре окружающей среды +25 °C, такие параметры:
физические:
- принцип действия – биполярный;
- корпус ТО-126 (SOT-32 ), TO-225AA;
- материал корпуса – пластик;
- кристалл — кремниевый (Si);
электрические (допустимые):
- проводимость – “p-n-p”;
- IK макс (IC max) не более 1,5 А;
- UКЭ макс (VCE max) не более 80 В (V);
- UКБ макс.(VCB max) не более 100 В (V);
- UЭБ макс (VЕВ max) не более 5 В (V);
В различных даташитах на bd140 значение возможной граничной частоты FГР встречается только у NXP Semiconductors , составляет 160 МГц. У остальных производителей она сильно занижена и поэтому не встречается в его техописании.
- UКЭ.нас. (VCE sat) не более 0.3 В (V), при IБ(Ic) = 0,5 A, IБ (IB) =0,05 A;
- IКБО (ICBO) не более 0.1 мкА (µA), при U КБ макс .(VCB ) = 30 В (V) IЭ (IE)=0;
- IЭБО (I EBO) не более 10 мкА (µA), при U EБ макс .(VEBО ) = 5 В (V) и IК (IС)=0);
- IБ макс. (IB) 500 мА (mA);
- PР макс (PD) 1,25 Вт (W);
тепловые:
- Тепловое сопротивление перехода кристалла к корпусу θJC = 10 °C/W (°C/Вт);
- Тепловое сопротивление корпуса к окружающей среде θCA= 90 °C/W (°C/Вт);
- Общее тепловое сопротивление θJA= 100 °C/W (°C/Вт);
- Tраб. (Tj) ≤ + 150 °C.;
- Tхран.(Tstr) от — 55 до + 150 °C.
В некоторых справочниках θJC обозначается буквами Rthj-case, а θCA — Rthj-amb.
Классификация по Hfe
Коэффициент передачи тока, у некоторых производителей, находится в диапазоне от 25 до 400 Hfe (например у SPC Multicomp). Но чаще всего в продаже, встречаются транзисторы у которых он меньше и находится в пределах от 40 до 250.
Комплементарная пара
Комплементарной парой, со структурой p-n-p является bd139.
Маркировка
Транзистор промаркирован по система Pro Electron, применяющейся в Европе и европейской ассоциацией производителей радиокомпонентов. Первые две “BD ”указывают на то, что перед нами кремнёвый, мощный транзистор низкой частоты. В европейской Pro Electron нет транзисторов средней мощности, по ней они маркируются маломощными или мощными. Далее идет серийный номер устройства “140”.
Первые выпуски bd140 проводила компания Philips. По некоторым сведениям, эта она прекратила их выпуск. Однако в некоторых магазинах еще можно найти ее устройства. Из-за хорошего качества сборки и своих характеристик они будут стоить дороже своих клонов.
Замена и эквиваленты
У bd140 есть аналоги как зарубежные так и отечественные которые можно использовать в качестве замены: MJE254, MJE171, MJE702, BD238G, BD792, BD140G, BD231, BD238, BD238G, BD380, BD792. Российский — КТ814Г. Он размещен в корпусе КТ-17 (аналог ТО-126), имеет схожее расположение выводных контактов, но может значительно отличатся по возможной граничной частоты FГР от рассматриваемого образца.
Применение
Сфера применения транзистора это — ключевые режимы, регуляторы питания, стабилизаторы и различные схемы усиления звуковых частот.
Встречается в схемах стабилизации питания усилителей и предвыходных каскадах усиления.
Широко используется в паре с комплементарным аналогом bd139 в симметричных низкочастотных усилителях, стабилизаторах питания малой мощности. Для ремонта отечественного оборудования, в котором встречается КТ814Г так же подойдет BD140. Пример использования с датчиком освещения смотрите в следующем видео.
Особенности
Транзисторы указанной мощности доступны исключительно в корпусе из металла. Однако bd140 изготавливается только в пластиковом и не имеет радиатора, что резко снижает его стоимость, но не тепловые характеристики. Учитывая этот момент, размещайте его на дополнительный радиатор в Ваших схемах, так как при высокой нагрузке он может выйти из строя.
Безопасность при эксплуатации
Не допускайте повышенного напряжения между выводами коллектор-эммитер более 80 В и не подключайте к нему нагрузку более 1500 мА. Предельная рассеиваемая мощность при работе транзистора не должна превышать 1,25 Вт. При разработке устройств подбирайте базовый резистор, который обеспечит необходимый базовый ток.
Температура при работе устройства не должна превышать максимальную в 150 °C. При хранении и использовании находится в пределах от -55 до +150 °C. Соблюдайте правила пайки и монтажа радиоэлементов в своих проектах.
Производители
Вот некоторые известные производители транзистора. Чтобы посмотреть более подробную информацию о нем скачайте datasheet bd140 по ссылке.
MOTOROLA (Motorola, Inc);
PHILIPS (NXP Semiconductors);
SIEMENS (Siemens Semiconductor Group);
FAIRCHILD (Fairchild Semiconductor);
STMICROELECTRONICS (STM);
UTC (Unisonic Technologies);
TEL(TRANSYS Electronics Limited);
SPC Multicomp.
