Транзистор BD139

Транзистор BD139 характеризуется как биполярный, кремниевый, средней мощности, низкой частоты и NPN структуры. Впервые он был изготовлен компанией Phillips с номинальной частотой 160 МГц для своих аудиорешений, с течением времени его начали клонировать другие производители радиооборудования. В основном находят применение в ключевых схемах, стабилизаторах напряжения, усилителях звуковой частоты и различных преобразователях.

Распиновка BD139

Выпускается большинством производителей в пластиковом корпусе ТО-126. В системе JEDEC это обновленный корпус TO-225AA. BD139 с такими корпусами имеют цоколевку следующиго вида:

1. Эммитер (E);
2. Коллектор (C);
3. База (B).

Характеристики транзистора BD139

При температуре окружающей среды +25 °C, физические:

• принцип действия – биполярный;
• корпус ТО-126 (без радиатора), он же SOT-32, TO-225AA;
• материал корпуса – пластмасса;
• кристалл транзистора — кремний (Si);

электрические (максимальные):

• проводимость – NPN;
• I_{K макс} (I_{C max}) не более 1.5 А;
• U_{КЭ макс} (V_{CE max}) не более 80 В (V);
• U_{КБ макс.}(V_{CB  max}) не более 100 В (V);
• U_{ЭБ макс} (V_{ЕВ max}) не более 5 В (V);

В техописаниях у многих производителей, по неизвестным причинам, верхняя рабочая граничная частота не указывается. Теоретически, возможная Fгр современного bd139 может составлять от 3 до 20 МГц. Ft =190 МГц указано только у компании Philips, но она их больше не производит.

• U_КЭ.нас. (V_{CE sat}) не более 0.3 В (V), при I_Б(I_c) = 0,5 A, I_Б (I_B) 0,05 A;
• I_КБО (I_CBO) не более 0.1 мкА (µA), при U _{КБ макс .}(V_CB ) = 30 В (V) I_Э (I_E)=0;
• I_ЭБО (I _EBO) не более 10 мкА (µA), при U _{EБ макс .}(V_EBО ) = 5 В (V) и отключенном коллекторе (ток коллектора I_К (I_С)=0);
• I_{Б макс.} (I_B) 500 мА (mA);
• P_{Р макс} (P_D) 1,25 Вт (W);

тепловые:

• Тепловое сопротивление перехода кристалла к корпусу θ_JC = 10 °C/W (°C/Вт);
• Тепловое сопротивление корпуса к окружающей среде θ_CA= 90 °C/W (°C/Вт);
• Общее тепловое сопротивление θ_JA= 100 °C/W (°C/Вт);
• T_раб. (T_j) ≤ + 150 °C.;
• T_хран.(T_str) от — 55 до + 150 °C.

Символ θ обычно используется для обозначения термического сопротивления в техническом описании различных радоэлементов.

Классификация по Hfe

У некоторых экземпляров коэффициент усиления по току, в тестах,  достигает значения 300 Hfe (например у китайского производителя радопримборов SPC Multicomp), хотя согласно даташитов при U_{КЭ макс} = 2 В (V) и разбросе I_{K макс}  от 0.005 до 0.5 А  он находится в пределах от 40 до 250 H21э (Hfe).

Комплементарная пара

Комплементарной парой bd139, с проводимостью (p-n-p), является bd140.

Маркировка

На корпусе транзистора bd139 размещена маркировка по европейской система Pro Electron, широко распространённой в Европе. Эта система поддерживается европейской ассоциацией производителей электронных компонентов. Первая буква “B” означает кремнёвый, следующая “D” говорит о том, что пред нами — мощный низкочастотный транзистор. Далее идет серийный номер устройства “139”.

В настоящее время компания Philips прекратила выпуск bd139, однако, из-за своих хороших характеристик и качества сборки радиолбители предпочитают поискать оригинал этого транзистора.

Замена и эквиваленты

Замену можно подобрать из буржуйских BD139G, BD230, BD237, BD237G, 2SC5171S, BD349, BD379, BD237G, BD791. Иногда можно применить отечественный аналог bd139, еще советских времен — КТ815Г. Он имеет идентичный корпус, такое же расположение выводов, и сходные электрические характеристики.

Применение

В основном находят применение в ключевых схемах, стабилизаторах напряжения, усилителях звуковой частоты и различных преобразователях. В аудиоусилителях, встречается в стабилизаторе питания и в предвыходных каскадах усиления, перед более мощными оконечными транзисторами. Они могут достаточно взаимодействовать с комплементарной парой bd140, в симметричных схемах усиления звуковых частот или в маломощных стабилизаторах напряжения. Радиолюбители очень часто, для замены вышедших из строя в российской аппаратуре транзистора серии КТ815, выбирают именно BD139.

Пример простейшего использования этого элемента в схеме с датчиком освещения.

Особенности

В основном транзисторы средней мощности доступны только в металлическом корпусе. Особенность bd139 заключается в том, что он производится в пластиковом корпусе, поэтому это резко снижает его стоимость. Поскольку его корпус не является проводящим, на него не будут влиять другие элементы схемы. Благодаря этой особенности он используется в усилителях.

Безопасность при эксплуатации

Не эксплуатируйте этот транзистор с напряжением более 80 В, не управляйте нагрузкой более 1,5 А. Используйте подходящий базовый резистор для обеспечения необходимого базового тока. Рабочая температура не должна превышать более 150 °C, а температура при хранении и эксплуатации находится в пределах от -55 до +150 °C. Соблюдайте правила пайки устройства на собираемую плату. Не допускайте перегревов , а для охлаждения устройства используйте небольшой радиатор.

Производители

Выберите производителя, чтобы скачать DataSheet на bd139:

PHILIPS (NXP Semiconductors);
MOTOROLA (Motorola, Inc);
SIEMENS (Siemens Semiconductor Group);
FAIRCHILD (Fairchild Semiconductor);
STMICROELECTRONICS (STMicroelectronics);
ONSEMI (ON Semiconductor);
UTC (Unisonic Technologies).