Характеристики транзистора П210Б

Технические характеристики транзистора П210Б позволяют ему работать в выходных каскадах УНЧ, преобразователях постоянного напряжения, переключающих схемах. Он является мощным, низкочастотным, германиевым p-n-p устройством. Изготавливается по сплавной технологии. Стоить отметить что транзисторы серии П210 разрабатывались для нужд оборонной промышленности и подвергались тщательной проверке. Не прошедшие проверку (П210Б и П210В) использовались в гражданских целях.

Цоколевка

П210Б производились в металлическом герметичном корпусе, маркировка наносилась сверху. Масса транзистора составляет 37 г. С его размерами и расположением ножек можно ознакомиться на рисунке ниже.

Технические характеристики

Давайте рассмотрим предельно допустимы характеристики транзистора П210Б, обычно они указываются в самом начале в любом datasheet, так как являются важными и их превышение неизбежно повлечёт к поломки устройства:

• постоянный ток на коллекторе — 12 А;
• постоянный ток проходящий через базу – 0,3 А;
• напряжение К – Э (эмиттер замкнут на базу) – 40 В;
• напряжение К – Э (база разомкнута) – 30 В;
• напряжение К – Б (эмиттер разомкнут) – 65 В;
• напряжение Э – Б – 25 В;
• рассеиваемая мощность (с теплоотводом) – 45 Вт;
• рассеиваемая мощность (без теплоотвода) – 1,5 Вт;
• температура кристалла — <70 ^ОС;
• температура окружающей среды от -55 до +60 ^ОС.

Электрические параметры, также важно знать при проектировании устройств и поиске замены. Данные параметры способен показать транзистор при обычной работе:

• максимальная частота к-та передачи тока >100 кГц;
• к-т усиления по току в схеме с общим эмиттером – 10 … 100;
• крутизна характеристики >5 А/В;
• начальный ток коллектора <8 мА;
• обратный ток коллектора:
  • при t_окт = +20 ^ОС — <15 мА;
  • при t_окт = +60 ^ОС — <90 мА;

• напряжение насыщения коллектор – эмиттер 0,6 … 2,5 В;
• напряжение насыщения эмиттер — база 0,5 … 2 В;
• напряжение отсечки переходной характеристики в схеме с ОЭ -0,3 В;
• напряжение лавинного пробоя при I_к = 2,5 А и t_окр = -55 … +60^ОС >40 В;
• входное сопротивление в схеме с общей базой 0,4 Ом;
• тепловое сопротивление кристалл — корпус 1 ^ОС/В;
• тепловое сопротивление среда — кристалл 40 ^ОС/В;
• тепловая постоянная кристалл — корпус 100 мкс.

Аналоги

Среди зарубежных устройств можно назвать такие аналоги П210Б: 2N457, 2N458, 6NU74, 7NU74, AD142, AD325, AD545, AUY21, AUY21A, AUY22, AUY22A. Существуют также отечественные изделия по похожим параметрам, например транзистор ГТ701А. В любом случае, перед заменой нужно проверить характеристики по технической документации.

Производители

Первоначально транзисторы серии П210 (скачать datasheet можно тут) изготавливались на трёх предприятиях: НИИ-35 (сейчас это завод НПП «Пульсар»), Ташкентские государственный завод п/я 125 (позже Ташкентский завод электронной техники) и Ереванский электротехнический завод (НПО «Транзистор»). Позже производство было передано заводу «Гамма» г. Запорожье. В начале 90-х они стали считаться неперспективными.