Технические характеристики транзистора КТ827А, внешний вид и габариты говорят о том, что перед нами мощное устройство в своей линейки. На основе его изготавливаются выходные каскады усилителей, стабилизаторы напряжения и тока, повторители, ключевые схемы, изделия управления электодвигателем и защиты автоматики. Такой широкий круг применения объясняется впечатляющими параметрами, которое может конкурировать с многими зарубежными аналогам даже в настоящее время.
В первую очередь нужно сказать, что перед нами составной биполярный транзистор n-p-n структуры. Примечательны они тем, что постоянный ток коллектора у них составляет 20 А, а коэффициент усиления h21Э достигает 18000. Такие параметры достигаются в основном благодаря схеме Дарлингтона, используемой для его создания.
Распиновка
Цоколевка транзистор КТ827 выполнена в металлическом корпусе КТ-9 (ТО-3), который физически соединен с коллектором (К). Он имеет стеклянные изоляторы с жесткими выводами, имеющими назначение базы (Б) и эмиттера (Э). Геометрические размеры устройства и расположение ножек показаны на рисунке ниже.
Технические характеристики
Как уже писалось ранее, неплохие технические характеристики КТ827А обеспечиваются его составной структурой. Как известно коэффициент усиления по току (h21Э) в такой схеме очень высокий. Фактически он представляет собой произведение h21Э двух транзисторов находящихся в ней. В нашем случае h21Э находится в диапазоне от 750 до 18000, а его типовое значение для большинства подобных устройств составляет около 5000.
Рассмотрим подробнее предельно допустимые режимы эксплуатации КТ827А:
- напряжение между выводами: К-Э постоянное до 100 В (при RЭБ = 1 кОм); К-Э импульсное до 100 В (при tФ=2 мкс); Э-Б до 5 В;
- ток коллектора (IК): постоянный до 20 А; импульсный до 40 А;
- ток базы до 500 мА;
- мощность рассеиваемая на коллекторе (PК макс) до 125 Вт (при TК от -60 до +25 оС);
- температура p-n-перехода (ТК) до +200 оС;
- тепловое сопротивление кристалл-корпус (RТ П-К) до 4 °С/Вт (при UКЭ= 10 В, IК = 12.5 А);
- диапазон рабочих температур вокруг корпуса (TОКР.) от -60 до +100 °C.
Превышение предельных значений или длительная эксплуатация в максимальных режимах приводит к выходу устройства из строя. Для расчета предельно возможной PК макс, при превышении TК более 25 оС, используют следующую формулу PК макс = (200-ТК)/1.4 Вт.
Электрические
Теперь приведем таблицу электрических параметров КТ827А. В ней указаны минимальные и максимальных значения характеристик для этого транзистора с учетом различных режимов измерений, при выпуске устройства производителем. Температура ТК, при этом составляет не более 25 оС.
Аналоги
Для КТ827А очень сложно найти аналог как среди отечественных, так и импортных компонентов. Полностью идентичных транзисторов с соответствующими физическими и электрическими свойствами не существует. На многих интернет-форумах возможной заменой указывают TIP142 (STMicroelectronics). Он похож по своей мощности (до 125 Вт) и типу корпуса, однако имеет меньший максимальный коллекторный ток 10 А и напряжение насыщения К-Э -3 В. Из российских аналогов рекомендуем обратить внимание на КТ8105А, но его найти в продаже проблематично.
В связи с трудностями в поисках достойной замены, многие радиолюбители прибегают к использованию вместо КТ827А его эквивалентной схемы. Состав её радиоэлектронных компонентов небольшой. Пару Дарлингтона составляют два биполярных транзистора из серии КТ815 и КТ819. Маломощный диод Д223А можно заменить на импульсные КД521 или КД522.
Производители
Транзистор КТ827А, они же с маркировкой 2Т827А, до сих пор производят в нашей стране. Основным изготовителями являются: АО «ФЗМТ», г. Фрязино и АО «Группа Кремний ЭЛ». Их нетрудно найти в российских магазинах, однако цена таких устройств достаточно высокая и может достигать уровня 1000 рублей и более. Скачать даташит на него можно кликнув по наименованию производителя. А вот еще один старенький Datasheet на серию 2Т827 1991 года, с указанием содержания драгметаллов.
Спасибо. Все предельно ясно.