Транзисторы серии КТ825, 2Т825

По своим техническим характеристикам транзисторы серии КТ825 подходят для использования в различных усилительных и коммутационных схемах. Встречаются в старых стабилизаторах напряжения, безконактных системах зажигания и управления двигателями. Кремниевые, изготавливаются по мезапланарной технологии и имеют p-n-p-структуру. Являются составными, т.е. сделанными по схеме Дарлингтона, имеющими большой статический коэффициент усиления по току (H21э до 25000) и способность прогонять через себя большие напряжения и токи. Основные свойства этого популярного полупроводникового прибора, разработанного еще в советские времена, примерно в конце 80-х, приведены в данной статье.

Цоколевка

Распиновка у серии КТ825 (он же 2Т825) представлена на рисунке. В первую очередь она зависит от корпусного исполнения устройства. В настоящее время этот транзистор производятся в двух типах корпусов: металлическом со стеклянными изоляторами КТ-9 (ГОСТ 18472-88) и пластиковом ТО-220.КТ825 распиновка

Оба корпуса имеют три жестких вывода со следующим назначением: эмиттер (Э), база (Б), коллектор (К). Конструктивно контакт «К» в таком исполнении физически соединен с металлической частью, которой транзистор крепится на радиатор.

Существуют и бескорпусные версии этого транзистора. Они выпускаются в виде кристаллов неразделенных на пластине с контактными площадками для монтажа внутри гибридных интегральных микросхем. Масса кристалла без герметичной упаковки и выводов не превышает 0,025 гр. Такие устройства представлены у производителей с маркировкой на этикетке — 2Т825A-5.

Технические характеристики

Разброс величин предельно допустимых режимов эксплуатации у КТ825 достаточно широк. Например, максимальное напряжение между выводами К и Э находится в диапазоне от 30 до 100 В. Также эта серия, вместе с большими коэффициентами усиления, славится высокой мощностью и пропускаемым током. Рассмотрим значения этих параметров подробнее:

  • предельное напряжение К-Э от 30 до 100 В;
  • постоянное напряжение Б-Э до 5 В;
  • коллекторный ток: постоянный от 15 до 30 А; импульсный от 30 до 40 А;
  • рассеиваемая мощность на коллекторе: от 30 до 125 Вт (с радиатором); от 1 до 3 Вт (без теплоотвода);  у кристалла до 40 Вт;
  • температура: p-n-перехода от +150 до +175 °С; окружающей среды от -60 до +100 °C.

Для КТ825 в пластиковом корпусе, при ТК от +25 до + 100 °C, максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора снижается линейно на 0.25 Вт/°С с теплоотводом и на 8 мВт/°С без него.

Электрические параметры

Электрические параметры транзистора из серии кт825 представлены в таблице. Обратите внимание, что все данные представлены с учетом температуры окружающей среды не более + 25 °C. Стоит заметить, что H21э в схеме с общим эмиттером имеет наибольшее значение при нагреве корпуса близком к максимальному значению (ТК ≈ макс.).Электрические параметры КТ825

Комплементарная пара

Комплементарной парой, для рассматриваемой серии, является отечественный составной транзистор с n-p-n-структурой — КТ827.

Аналоги

Найти полноценный аналог для КТ825 достаточно проблематично. Все зависит от схемы и назначения конкретного транзистора в ней. Чаще всего на интернет-форумах рекомендуют в качестве замены TIP142, TIP147 от Texas Instruments в более современном корпусе TO-247. Также, в качестве замены, можно рассмотреть следующие зарубежные транзисторы: MJ11015, 2N6052G. Иногда, не найдя подходящего среди указанных, некоторые радиолюбители прибегают к несложной схеме с КТ818 и КТ814. Она представлена в следующем видеоролике на эту тему.

Меры безопасности

Пайка выводов возможна на расстоянии не ближе 5 мм от корпуса, при температуре припоя не более +260 °C. При этом время лужения контактов не должно превышать 2 сек. В случае подключения устройства в цепь под напряжением, необходимо вывод базы подключать в первую очередь, а отключать в последнюю.

Допустимое значение статического потенциала до 1000 В. Для устройств в пластмассовом ТО-220 допускается только одноразовый изгиб выводов на угол не более 90и не ближе 5 мм от корпуса, с радиусом изгиба до 1.5 мм.

Содержание драгметаллов

В соответствии с данными справочника «Опознавательно-информационная система классификации лома электронных изделий», ИПК «Платина», 1999 г., г. Красноярск, в транзисторах серии КТ825 содержание драгметаллов следующие: до 0.01 гр. золота, 0.095 гр. серебра.

Производители

В настоящее время выпуском и модернизацией серии КТ825 занимается только одно российское предприятие. Это известная отечественная компания АО «Кремний» г. Брянск. Скачать техническое описание на изделие от указанного производителя, можно по этой ссылке.

Оцените статью
СхемаТок
Добавить комментарий

пятнадцать − 15 =

Adblock detector