Характеристики транзистора КТ817Б

Характеристики КТ817Б позволяют использовать его в качестве электронного ключа, усилителя низкочастотных сигналов и других приложениях в разнообразном оборудовании общего назначения. Это небольшое по габаритам полупроводниковое устройство представляет из себя мощный биполярный транзистор. Кристалл имеет кремниевую (Si) структуру NPN.

Цоколевка

Отечественная промышленность выпускает КТ817Б в двух видах пластиковой упаковки КТ-27 и КТ-89 по ТУ аАО.336.187ТУ/02. Импортными аналогами данных корпусов являются ТО-126 и DPACK соответственно. Цоколевка транзистора: эмиттер (Э), коллектор (К), база (Б). Более подробная информация о габаритах, внешнем виде изделия и его основных параметрах представлена на рисунке.

Метализированная подложка имеет физическое соединение с коллектором.

Характеристики

КТ817Б по, своим характеристикам, наряду с КТ817А, являются одним из самых слабых транзисторов в серии. Так, по максимальному значению предельно возможного напряжения между выводами К-Э он в два раза уступает топовому КТ817Г. Ниже представлены основные величины абсолютных и электрических параметров.

Абсолютные характеристики КТ817Б (ТА = +25 oC):

  • мощность рассеиваемая (PКmax): до 1.0 Вт; до 25 Вт (c применением радиатора);
  • напряжение: Э-Б до 5 В; К-Э до 45 В (RЭБ  ≤ 1 кОм);
  • ток постоянный: коллекторный — до 3.0 А; базовый — до 1.0 А;
  • импульсный ток —  до 6.0 А;
  • температура кристалла до +150 оС;
  • интервал рабочих температур от -60 до +150 °C.

Вышеуказанные значения являются предельно возможными для рассматриваемого устройства. Превышение любого из значений максимальных параметров чаще всего приводит к порче изделия или его нестабильной работе в последующем. Также необходимо знать, что рассеиваемая мощность (PКmax) в случае повышения ТА более +25 оС снижается линейно на 0001 Вт/°C и 0,002Вт/°C (с радиатором).

Электрические

Все значения параметров рассматриваемо транзистора представлены в техническом описании (Datasheet) с учётом температуры внешней окружающей среды не выше +25 oC. Ниже показаны основные электрические свойства транзистора, при определенных условиях тестирования. Режимы измерений представлены в соответствующей графе.

Комплиментарная пара

В советские годы, в связи с планируемым применением КТ817Б в схемах усиления сигналов низкой частоты, для него была разработана комлиментаная пара — КТ816Б. Она имеет кремниевую структуру PNP. Остальные параметры идентичны рассматриваемому транзистору.

Аналоги

Морально устаревший КТ817Б выпускается уже давно, и аналогов у него сейчас очень много. Например белорусская ОАО «Интеграл» производит его более современную версию с идентичным KT817B9. Из зарубежных транзисторов в качестве замены можно рассмотреть BD437. Хорошей альтернативой для рассматриваемого устройства считаются более мощные: 2N5191G, BD239B, BD179G, BD441G, TIP31C.

Производители

КТ817Б ограниченными партиями продолжает выпускаться на белорусском предприятии ОАО «Интеграл». В России основным производителем считается АО «Кремний». Скачать этикетки указанных компаний можно по ссылкам 1, 2.

Оцените статью
СхемаТок
Добавить комментарий

2 × пять =

Adblock
detector