Транзистор IRFP260N

 

Технические характеристики транзистор IRFP260N говорят о том что, это N – канальное, MOSFET (МОП) устройство, изготовленным по новой HEXFET технологии пятого поколения. Данная разработка позволяет добиться чрезвычайно низкого сопротивления кремниевого канала. Это преимущество, в сочетании с высокой скоростью переключения и большой мощностью, предоставляет разработчику чрезвычайно эффективное и надежный компонент для использования во многих устройствах.

Распиновка

Цоколевка IRFP260N производится в корпусе TO-247, так как из-за большой мощности для него нельзя использовать TO-220. Расположение выводов транзистора можно посмотреть на рисунке ниже. Здесь цифрой 1 обозначен затвор, 2 – сток, 3 – исток. Ни одна фирма-производитель не использует другие корпуса для этого транзистора.

IRFP260N цоколевка

Технические характеристики

Прежде чем начать применять транзистор любой разработчик должен в первую очередь ознакомиться с его предельно допустимыми величинами. Эти данные также важны при выборе замены для вышедшего из строя устройства. Правильно подобранный прибор с подходящими параметрами прослужит долго. Производственные значения при которых он работает должны быть меньше максимально возможных. IRFP260N имеет следующие характеристики:

  • предельно возможное отпирающее напряжение между затвором и истоком (VGS) — ±20 В;
  • наибольший допустимый постоянный ток стока при температуре +25ОС (ID) – 50 А;
  • предельно возможный постоянный ток стока при температуре +100ОС (ID) – 35 А;
  • максимально допустимый пиковый (импульсный) ток стока (I) — 200 А;
  • наибольшая возможная рассеиваемая мощность (PD) — 300 Вт;
  • максимальная энергия единичного импульса на стоке – 560 мДж;
  • рабочая температура (TJ) от — 55 до +175 °C;
  • наибольший импульс на восстанавливающемся диоде dv/dt – 10 В/нс;
  • предельная температура пайки (максимум 10 секунд) – 300 (на расстоянии 1,6 миллиметра от корпуса);
  • допустимый пиковый неповторяющийся ток, допустимый в лавинных условиях (IAR) – 50 А;

Чтобы правильно подобрать транзистор для какой-то схемы нужно знать не только предельно значения прибора, но и его электрические характеристики. Эти данные можно найти в технической документации фирмы выпускающей изделия, они обычно находятся сразу за максимально возможными параметрами. Измерения проводились при температуре +25ОС. Другие важные условия проведения тестирования можно узнать из специального столбца в таблице, который озаглавлен «Режимы измерения».

электрические параметры IRFP260n

Если транзистор будут постоянно работать при больших токах, он будет выделять много тепла. Чтобы прибор не перегрелся его нужно отводить с помощью системы охлаждения. Для ее расчета необходимо знать тепловые параметры, они показывают, на сколько градусов увеличится температура прибора при увеличении мощности рассеиваемой на транзисторе.

Тепловые параметры irfp260n

Температуру кристалла находится по формуле:

Tj=Ta + RθJA x P,

где

RθJA — тепловое сопротивление «переход-среда» зависит от типа печатной платы и наличия системы охлаждения.

Ta – температура окружающего воздуха

Р – мощность которая рассеивается на приборе в данный момент времени.

Аналоги

Транзистор irfp260n имеет только один аналог – STW40N20. Отечественная промышленность не выпускает подобной продукции.

Производители

DataSheet транзистор irfp260n можно найти у официальных зарубежные производителей: International Rectifier, Inchange Semiconductor.

 

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector