Транзистор IRFP260N

Технические характеристики транзистор IRFP260N говорят о том что, это N – канальное, MOSFET (МОП) устройство, изготовленным по новой HEXFET технологии пятого поколения. Данная разработка позволяет добиться чрезвычайно низкого сопротивления кремниевого канала. Это преимущество, в сочетании с высокой скоростью переключения и большой мощностью, предоставляет разработчику чрезвычайно эффективное и надежный компонент для использования во многих устройствах.

Распиновка

Цоколевка IRFP260N производится в корпусе TO-247, так как из-за большой мощности для него нельзя использовать TO-220. Расположение выводов транзистора можно посмотреть на рисунке ниже. Здесь цифрой 1 обозначен затвор, 2 – сток, 3 – исток. Ни одна фирма-производитель не использует другие корпуса для этого транзистора.

Технические характеристики

Прежде чем начать применять транзистор любой разработчик должен в первую очередь ознакомиться с его предельно допустимыми величинами. Эти данные также важны при выборе замены для вышедшего из строя устройства. Правильно подобранный прибор с подходящими параметрами прослужит долго. Производственные значения при которых он работает должны быть меньше максимально возможных. IRFP260N имеет следующие характеристики:

• предельно возможное отпирающее напряжение между затвором и истоком (V_GS) — ±20 В;
• наибольший допустимый постоянный ток стока при температуре +25^ОС (I_D) – 50 А;
• предельно возможный постоянный ток стока при температуре +100^ОС (I_D) – 35 А;
• максимально допустимый пиковый (импульсный) ток стока (I_DМ) — 200 А;
• наибольшая возможная рассеиваемая мощность (P_D) — 300 Вт;
• максимальная энергия единичного импульса на стоке – 560 мДж;
• рабочая температура (T_J) от — 55 до +175 °C;
• наибольший импульс на восстанавливающемся диоде dv/dt – 10 В/нс;
• предельная температура пайки (максимум 10 секунд) – 300 (на расстоянии 1,6 миллиметра от корпуса);
• допустимый пиковый неповторяющийся ток, допустимый в лавинных условиях (I_AR) – 50 А;

Чтобы правильно подобрать транзистор для какой-то схемы нужно знать не только предельно значения прибора, но и его электрические характеристики. Эти данные можно найти в технической документации фирмы выпускающей изделия, они обычно находятся сразу за максимально возможными параметрами. Измерения проводились при температуре +25^ОС. Другие важные условия проведения тестирования можно узнать из специального столбца в таблице, который озаглавлен «Режимы измерения».

Если транзистор будут постоянно работать при больших токах, он будет выделять много тепла. Чтобы прибор не перегрелся его нужно отводить с помощью системы охлаждения. Для ее расчета необходимо знать тепловые параметры, они показывают, на сколько градусов увеличится температура прибора при увеличении мощности рассеиваемой на транзисторе.

Температуру кристалла находится по формуле:

T_j=T_a + R_θJA x P,

где

R_θJA — тепловое сопротивление «переход-среда» зависит от типа печатной платы и наличия системы охлаждения.

T_a – температура окружающего воздуха

Р – мощность которая рассеивается на приборе в данный момент времени.

Аналоги

Транзистор irfp260n имеет только один аналог – STW40N20. Отечественная промышленность не выпускает подобной продукции.

Производители

DataSheet транзистор irfp260n можно найти у официальных зарубежные производителей: International Rectifier, Inchange Semiconductor.