Транзистор IRF640

 

Характеристики мощного полевого транзистора IRF640 говорят нам о том, что он используется в схемах требующих высокой скорости и низкой мощности переключения затвора, в системах управления электроприводом реле.

Также его применяют для управления его биполярными сородичами. Он является n-канальным МОП-транзистором (MOSFET), который можно встретить в блоках питания, телевизорах и компьютерных мониторах. Управление данным изделием может осуществляться непосредственно от микросхемы.

Распиновка

Цоколевка IRF640 выполнена в пластмассовом корпусе ТО-220АВ с жесткими выводами. На рисунке ниже показано расположение их и геометрические размеры корпуса.

Цоколевка IRF640
Если смотреть на маркировку то слева направо будут расположены: первая ножка — затвор, вторая — сток, третья — исток.

Характеристики

На русском языке технические характеристики IRF640 найти довольно трудно, поэтому мы перевили их и опубликовали ниже. Предельно допустимые:

  • Наибольшее возможное напряжение сток-исток: 200 В.
  • Предельное напряжение затвор-исток: 20 В.
  • Максимальный ток через сток (напряжение затвор-исток 10 В):
    18 А (при Тс= +25оС).
    11 А (при Тс= +100оС).
  • Наибольший пиковый ток стока: 72 А.
  • Предельная рассеиваемая мощность при температуре +25оС: 125 Вт.
  • Максимальная температура: +300оС.
  • Рабочая температура: от -55оС до +150оС

Все электрические параметры транзистора можно разделить на две группы: статические и динамические. Данные значения указаны для температуры окружающей среды +25 оС, если явно не написано другое. В приведенных таблицах указаны численные величины режимов работы, при которых производились измерения.

Статически значения irf640

Далее приведем динамические-электрические параметры irf640.

Динамические параметры irf640Исток-Сток 640

Последними в datasheet всегда указываются сведения о термических характеристиках.

Температурные параметры irf640

Все эти значения важны при проектировании схем с использованием мощных транзисторов. Например, при использовании его в усилителях мощности или блоков питания.

Если транзисторы не охлаждаются должным образом, они перегреваются и как правило, перегорают через несколько минут или даже секунд. Чтобы избежать этого, нужны тепловые расчеты.

Чтобы убедиться в правильности расчетов можно протестировать готовое изделие. Для этого его нужно оставить работать в обычном режиме в течение нескольких часов. При этом любая ошибка в тепловом расчете может быть легко обнаружена и исправлена.

Старое эмпирическое правило «если можно положить руку то все хорошо» по-прежнему работает. Обратное не всегда верно. Например, транзистор может нагреваться до 80°C и будет слишком горячий для прикосновения, но при этом он будет работать нормально. Иметь горячие компоненты не рекомендуется, потому от них могут нагреваться рядом стоящие устройства. Чем меньшая температура у транзистора, тем больше его срок службы.

На рисунке ниже приведены графики зависимости крутизны передаточной характеристики gfs от тока стока Ic для температур +25°C и 150°C.

График крутизны

Из данного графика видно, что значение gfs растет, пока Ic < 18 А. После этого начинает уменьшаться.

Аналоги

Среди зарубежных аналогов транзистора IRF640 можно назвать: 2SK2136, 2SK2521-01, 2SK3111, BUZ31, FQA19N20C, FQP19N20C, PHP18NQ20T, STP19NB20. А среди отечественных аналогов выделяют всего два устройства: КП750А и КП640.

Производители

Транзистор IRF640 производят следующие компании (их datasheet доступен по ссылки): STMicroelectronics, Fairchild Semiconductor, International Rectifier, Suntac Electronic Corp, Dc Components, Comset Semiconductor, Nell Semiconductor, ARTSCHIP ELECTRONICS, NXP Semiconductors, Inchange Semiconductor Company Limited, Weitron Technology, First Components International.

 

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector