Транзистор IRF510

Технические характеристики полевого транзистора IRF510 говорят о том, что он является мощным N-канальный (MOSFET) устройством, произведенный известной американской компанией International Rectifier (IR). У него изолированный затвор. Предназначен для применения в схемах, где имеет значение высокая скорость переключений и низкое сопротивление в открытом состоянии. Наиболее часто его можно встретить в импульсных блоках питания, приборах управления электродвигателями, ИБП. Изготавливаются различными производителями электронных компонентов по лицензии IR, используя технологию HEXFET®.

Цоколевка

У irf510 следующая распиновка. Почти все выпускающие этот транзистор компании, за редким исключением, оснащают его пластиковым ТО-220АВ, с встроенным радиатором. Корпус имеет, если посмотреть на его маркировку, три жестких вывода со следующим назначением: левый контакт — это затвор (G), посередине — сток (D), следующий — исток (S).irf510 распиновка

Технические данные

Как и все современные мощные MOSFET от IR, IRF510 обладает неплохими максимально допустимыми характеристиками. Он способен выдержать большие нагрузки, приближающиеся к предельным значениям эксплуатации. Рассмотрим их подробнее:

  • напряжение между контактами стока-истока (VDS ) — 100 В;
  • рекомендуемый ток стока (ID): при TC до +25ОС – 5.6 А; при TC до +100ОС – 4.0 А; импульсный (IDM) – 20 А; пиковый, в лавинных условиях (IAR) – 6 А;
  • в открытом состоянии сопротивление RDS(ON) до 0.54 Ом;
  • отпирающее напряжение между затвором и истоком (VGS) ±20 В;
  • рассеиваемая мощность (PD) до 43 Вт;
  • энергия единичного импульса (EAS) – 4.3 мДж;
  • возможный импульс на восстанавливающемся диоде dv/dt – 5.0 В/нс;
  • температура хранения (TJ) от — 55 до +175 °C;
  • максимальная температура кристалла (TC) до +175 °C;
  • время пайки не более 10 секунд (на 1,6 мм от корпуса), при Т не более 300 °C.

International Rectifier (с 2014 г.) поглотил американский производитель радиоэлементов Infineon Technologie.

Не рекомендуется превышать указанные значения и допускать длительные периоды эксплуатации в таких режимах. В подобных тяжелых условиях устройство в итоге быстро выйдет из строя. Это правило относится и к электрическим характеристикам irf510. Приведем их ниже.Электрические параметры irf510

Все данные приведены с учетом температуры окружающей среды не более 25°C, если не указано иного.

Аналоги

Для IRF510 тяжело найти полноценный аналог. В первую очередь можно порекомендовать полностью идентичную по своим параметрам модель от Vishay Siliconix — SiHF510. Это копия рассматриваемого транзистора, как по своим параметрам, так и физическим свойствам. К тому же усовершенствованная.

Конечно, существуют и другие компании, выпускавшие похожие по своим свойствам устройства, но их сейчас достаточно тяжело найти в продаже. К ним можно отнести: 2SK2399 (Toshiba), PHP6N10E (Philips), RFP2N08 (Fairchild Semiconductor ), STP7NE10 (STMicroelectronics). От российских производителей, в качестве замены, следует рассмотреть: КП510 и КП743А. Перед использованием аналогов внимательно ознакомьтесь с их даташит.

Производители

Символы IRF в названии силовой электроники известны во всем мире. Они стали де-факто стандартом в маркировке электронных компонентов от многих компаний. Так его обозначают такие производители: Fairchild Semiconductor, STMicroelectronics, Harris Company, Inchange Semiconductor, Intersil Corporation, New Jersey Semi-Conductor Products, Supertex Inc. На отечественном рынке наиболее распространены изделия выпускаемые американской Vishay Siliconix и немецкой Infineon Technologie. Выбрав ссылку c именем компании, можно скачать datasheet на транзистор IRF510.

Оцените статью
СхемаТок
Adblock detector