Характеристики транзистора IRF4905

В соответствии с техническими характеристиками, irf4905 представляет из себя MOSFET-транзистор компании International Rectifier (IRF). Применённая в нём технология пятого поколения HEXFET позволила значительно уменьшить площадь кремниевой площадки (в сравнении с предыдущими версиями) и добиться очень низкого сопротивления во включённом состоянии. Указанные улучшения создали условия для достижения более высокой скорости переключений и прочности в конструктивном исполнении.

Рассматриваемый MOSFET позиционируется компанией IRF, как высокоэффективное и надежное устройство для применения в самых разнообразных приложениях.

Цоколевка

IRF4905 производится в пластиковой упаковке ТО-220AB. Корпус оснащён металлической подложкой (с возможностью крепления под болт) и тремя контактами. Последние именуют (слева на право): затвором (G), стоком (D), истоком (S).

Предельно возможная рассеиваемая мощность ТО-220АВ составляет порядка 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и дешевизна данной упаковки способствовали широкому распространению устройства во всем мире.

Характеристики

Рассмотрим характеристики irf4905 более основательно. В техническом описании (datasheet) на MOSFET от производителя они представлены в таблицах абсолютных и электрических параметров. Все значения (если нет иной информации) измерены при температуры кристалла (T_J) не превышающей +25 ^oC.

Абсолютные

Абсолютные характеристики IRF4905:

• напряжение затвор-исток (V_GS) до ± 20 В;
• линейный коэффициент снижения параметров до 1.3 Вт/^oС;
• максимальная энергия единичного импульса (EAS) до 930 мДж;
• возможный импульс на восстанавливающемся встроенном диоде (dv/dt) до -5.0 В/нс;
• ток допустимый при лавинном течении (I_AR) до -38 А;
• ток стока (при V_GS =-10 В): постоянный (I_D) : до -74 А (T_C = +25^oС); до -52 А (T_C = +100^oС);
• импульсный ток стока (I_DМ ) до -260 А;
• рассеиваемая мощность (P_D) до 200 Вт (при T_C = +25^oС);
• температура кристалла, хранении (T_J,Т_STG) от — 55 до +175°C.

Вышеприведенные параметры являются предельно возможными. Даже кратковременное превышение одного из них может привести к перегреву и выходу изделия из строя. Неотъемлемый условием стабильной работы является поддержка температуры кристалла (T_J) на уровне +25^oC, так как её рост негативно сказывается на всех эксплуатационных свойствах MOSFET.

При знакомстве с максимальными значениями параметров рассматриваемого транзистора необходимо обращать внимание на знак «минус». Таким образом, производитель указывает на дырочную проводимость канала между легированными контактами стоика и истока (т.е. канал P-типа).

Электрические

В таблице ниже представлены электрические параметры рассматриваемого MOSFET. В них отражены номинальные значения характеристик, при которых устройство протестировано непосредственно производителем. В столбце «режимы измерений» показаны условия испытаний.

Аналоги

Основным конкурентом и полным аналогом IRF4905 является STB80PF55 от компании STMicroelectronics. Ближайшими по параметрам считаются: SPP80P06P, SUB65P06-20. В качестве альтернативы для замены можно рассмотреть MTP50P03HDL. Отечественные производители похожих устройств не выпускают.

Производители и Datasheet

Основным производителем IRF4905 в настоящее время является немецкая компания Infineon Technologies. С 2015 году она приобрела активы IRF и стала главным поставщиком продукции данного бренда. Ознакомиться с datasheet на IRF4905 в pdf-формате возможно по следующей ссылке.