Транзистор h945

H945 – n-p-n кремниевый, высокочастотный, биполярный транзистор средней мощности и низкой скоростью переключений. Используется в низкочастотных и высокочастотных устройствах с низким уровнем шумов. Основное назначение — усиление сигналов звуковой частоты в низкочастотных усилителях. В этой статья Вы узнаете конфигурацию контактов, основные характеристики, примеры использования транзистора h945 и возможности его замены на отечественные аналоги.

Конфигурация выводов

Изготовлен в пластиковом корпусе TO-92. Если смотреть на плоскую сторону корпуса с выводами, направленными вниз, то три вывода, выходящие из транзистора слева направо — эмиттер, коллектор и базы. Ниже представлено изображение показывающее схему его контактов.

Основные технические характеристики

Технические параметры h945 указанные в его DataSheet (температура окружающей среды +25 °C):

физические:

• принцип действия – биполярный;
• корпус ТО-92;
• материал корпуса – пластик;
• материал – кремний (Si);

электрические:

• npn-проводимость (обратная);
• I_{K макс.} (I_{c max}) 150 мА (mA);
• U _{КЭ макс.} (V_{CE max}) не более 50 В (V);
• U_{КБ макс.} (V_{CB max}) не более 60 В (V);
• U_{ЭБ макс.} (V_{ЕВ max}) не более 5 В (V);
• U_КЭ.нас. (V_{CE sat}) не более 0.3 В (V), при I_K (I_c)=100 мА (mA) и I_Б (I_c)= 10 мА (mA);
• U_КЭ.нас. (V_{CE sat}) не более 1 В (V), при I_K (I_c)=100 мА (mA) и I_Б (I_c)= 10 мА (mA);
• f_{гр норм.}(f_{t TYP}) 250 МГц (MHz), при U _КЭ  (V_CE ) ₌ 6 В (V), I_K (I_{c )}= 10 мА (mA);
• I_КБО (I_CBO) не более 100 нА (nA), при U _{КБ макс.} (V_{CB max} ) = 60 В (V) и I_Э (I_E)=0;
• I_ЭБО (I_EBO не более 100 нА (nA), при U _{EБ макс.} (V_{EB max} ) = 5 В (V) и I_К (I_С)=0;
• P_{K макс.} (P_C) 250 мВт (mW);
• выходная емкость (Output Capacitance) pF = 3, при U_КБ  (V_CB) =6 В (V), I_э (I_E)=0，f=1 Гц МГц (MHz);
• коэффициент шума (Noise Figure ) NF = 4 Дб (dB), при U_КЭ =6 В (V), I_K (I_c), 0.5 мА (mA), f= 1 КГц (KHz), R_s =500 Ом (Ω);

Производитель может изменить характеристики транзистора h945, поэтому перед его использованием в своих проектах убедитесь в его параметрах по datasheet.

Коэффициент усиления по току (Minimum & maximum DC Current Gain) при U_{КЭ макс} = 8 В (V) и I_{K макс}  =  20 мА (mA) от 90 до 600 H_fe

Комплементарная пара

Комплементарным PNP-транзистором к H945 является H733.

Маркировка

H945 выпускается крупной китайской компанией HUASHAN (Shantou Huashan Electronic Devices). Префикс в маркировке скорее всего обозначает первую букву в наименовании производителя. Далее идет серийник, отражающий порядковый номер регистрации полупроводникового прибор в американской системе JEDEC.

Буква «P» на корпусе указывает на коэффициент усиления по току у данного экземпляра от 200 до 400 H_fe

Аналоги транзистора

Можно заменить H945 такими зарубежными аналогами 2SC1815, 2SC2458, 2SC3198, 2SC3199, 2SC3916, 2SC3917, 2SC3918, 2SC3919, 2SC3920, 2SC3921, 2SC3922, 2SC3923, C1815, C945, KSC1815, KSC945C, KTC3198 или KTC3199.

Похожие по характеристикам в SMD-корпусе: в SOT-23 2SC1623, 2SC2712, 2SC4116 2SC4738, KSC1623, KTC3875, в SOT-323: KTC3875S, FJX945.

Как замена подойдет отечественная серия КТ3102, мощность российского аналога составляет не менее 250 мВт, коллекторным током до 200 мА и коэффициентом усиления по току от 100 до 1000 H_fe в зависимости от модификации.

Перед заменой необходимо сравнить технические параметры оригинального полупроводникового прибора и предлагаемого аналога. Решение о необходимости такой замены надо принимать с учетом схемы применения и условий работы транзистора.

Где применяется ?

Распространен в схемах различных блоков дежурного напряжения компьютерных блоках питания форм-фактора ATX и НЧ-устройствах, с низким уровнем шума. Выделяется среди других малым уровнем шумов (не более 4 дБ) и большим коэффициентом усиления (до 600 Hfe). Пример создания простого усилителя звука “на коленках” 🙂

Безопасность при эксплуатации

Не допускайте повышение напряжения на коллектор-эммитерном переходе более 50 В и тока коллектора более 150 мА.

Температура PN-перехода в рабочем состоянии (Junction Temperature) T_раб. (T_j) не более + 150 °C.

Диапазон температура при хранении и эксплуатации (Max Storage & Operating temperature Should be) T_хран. (T_str) от -55 до +150 °C.

При пайке выводов соблюдайте временной интервал (до 2-3 секунд) и расстояние до 5 мм от элементов платы. Температура паяльника не должна превышать + 260 °С.

Производители

На рынке радиоустройств с маркировкой «h945» известен только один производитель HUASHAN (Shantou Huashan Electronic Devices). Если маркировка транзистора отличается, то параметры устройства тоже будут другими. Для проверки характеристик посмотрите h945 datasheet.