По техническим характеристикам биполярный транзистор D882 является мощным высокочастотный устройством, изготавливается по эпитаксиально-планарной технологии. Предназначен для применения в ключевых и линейных схемах, приборах широкого назначения. Имеет n-p-n структуру. Отличается высоким значением пропускаемого постоянного коллекторного тока (до 3 А) и низкими порогами напряжения насыщения.
Распиновка
Цоколевка транзистор d882 выполнена в пластмассовом корпусе ТО-126. Европейская компания STMicroelectronics выпускает его в похожей по параметрам фирменной упаковке с наименованием SOT-32. Слева на право: эмиттер (Э), коллектор (К), база (Б).
Купить 2SD882 (D882)
Многие производители выпускают D882 в корпусе для поверхностного монтажа на плату (SMD) — SOT-89. Распиновки их имеет зеркальный вариант, слева на право — БКЭ.
Технические характеристики
D882 имеет достаточно хорошие технические параметры. Не много транзисторов, в корпусе TO-126, могут похвастаться возможностью пропускать через себя импульсные токи величиной до 6 А. Рассмотрим другие его максимальные значения предельно допустимых эксплуатационных значений:
- напряжение между: К-Б — VCBO (Uкб max) до 40 В; К-Е — VCEO (Uкэ max) до 30 В;Э-Б — VEBO (Uэб max) до 6 В;
- коллекторный ток: постоянный IC (Iк max) = 3 А; переменный, при tP < 5ms — ICM (Iки max) до 6 А;
- ток базы IB (IБ max) = 3 А до 1 А;
- мощность рассеиваемая на коллекторе РС (Рк max) до 1.25 Вт;
- тепловое сопротивление перехода Rthj-case — 10 ° C/Вт;
- диапазон температур хранения и использования Tstg = -55 … 150 оС;
- температура кристалла TJ до 150 оС.
У разных производителей отдельные величины немного отличатся от приведенных в этой статье.
Электрические параметры
Электрические параметры D882 тоже неплохие. Они представлены в даташит в виде отдельной таблицы с дополнительными условиями их измерений. Температуре окружающей среды, при этом, составляет не более 25 оС.
Коэффициента усиления по току
В зависимости от коэффициента передачи тока (hFE) транзистор D882 делятся на четыре группы по буквам: R (маленькое) – от 60 до 120; О (среднее) от 100 до 200; Y (высокое)– от 160 до 320; GR (самое большое) от 200 до 400.
Комплементарная пара
Рекомендуемая комплементарная пара — транзистор 2SB772, имеющий противоположную структуру p-n-p.
Влияние радиатора
Стоит учитывать сильный нагрев D882 при использовании в предельно допустимых режимах, которые могут привести к выходу его из строя. Вероятности такого исхода очень высока, поэтому не рекомендуется длительная эксплуатация устройства на максимальных значениях.
Большое значение, в повышении надежности и уменьшении нагрева транзистора при работе, имеет его система охлаждения. Ниже приведен график зависимости рассеиваемой мощности (по горизонтали) от температуры окружающей среды (по вертикали). При тестировании изготовитель использует алюминиевый радиатор толщиной 10 мм.
Как видно из графика, при температуре вокруг корпуса выше +25ОС рассеиваемая мощность D882 начинает понижаться, а при +150ОС падает до ноля. На рисунке наглядно показана положительная роль использования радиатора для подобных электронных устройств.
Аналоги
Полными зарубежными аналогами у D882 являются:2sD882, 2SC1368. В качестве замены можно так же рассмотреть похожие по своим свойствам устройства: BD437, KTD882, HSD882S, BD131, BD185, BD187, BD189, BDX35, BDX36, BDX37, KSD882, KSH882, MJE222, MJE225, MJE242, MJE244. В некоторых случаях можно рекомендовать хорошую альтернативу от белорусского предприятия “Интеграл” — КТ815 или достаточно редкий КТ9177А . Стоит признать, что полноценного (отечественного) российского аналога для рассмотренного транзистора нет.
Производители
На международном рынке распространены транзисторы D882 изготовленные следующими компаниями: Jiangsu Changjiang Electronics Technнology, SeCoS Halbleitertechnologie, Shenzhen Jingdao Electronic, Shike Electronics, Daya Electric Group, Diode Semiconductor Korea, Shenzhen Jin Yu Semiconductor, STMicroelectronics(STM), Stanson Technology, Nanjing International Group, Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited и другие.
В России наиболее популярны устройства произведенные компаниями: Shenzhen Electronics, STM. Кликнув по ссылке, можно скачать соответствующее техническое описание — DataSheeat.
Можно заменить на КТ961В.
Ток коллектора до 1.5 А и Hfe значительно ниже.