Характеристики транзистора D2012

Согласно техническим характеристикам, устройство с маркировкой D2012 является мощным биполярным транзистором с кремниевой структурой NPN. Основное назначение – усилитель низкой частоты (далее — УНЧ) и схемы коммутации. Выделяется неплохим коэффициентом усиления (hFE1 до 320), током коллектора (IC до 3 А) и довольно низким напряжением насыщения (VCEsat 0.4 … 1.0 В).

Полная маркировка устройства «2SD2012», однако на корпусе производители указывают его сокращённое наименование (без двух первых символов 2S). В схемах усиления вместе с ним в качестве комплементарной пара используют транзистор 2SB1366.

Цоколевка

D2012 оснащён пластиковым корпусом ТО-220F, у которого отсутствует металлическая подложка. Назначение трёх гибких выводов, предназначенных для дырочного монтажа, слева направо: база (Б), эмиттер (Э), коллектор (К). На рисунке приведены геометрические размеры, внешний вид устройства и его распиновка.

Распиновка D2012

Технические характеристики

Ниже представлены основные характеристики D2012 (на русском языке), взятые из datasheet (технической документации) некоторых наиболее именитых производителей (Toshiba, ST Microelectronics). У устройств других компании (кроме совсем неизвестных), с аналогичной маркировкой, в большинстве случаев параметры будут полностью идентичны. Их значения подразделяют на абсолютные (максимально возможные) и электрические (номинальные).

Максимальные

Максимальные характеристики D2012 (при ТА = +25 oC):

  • напряжение: К-Б (VCBO) до 60 В; К-Э (VCEO) до 60 В; Э-Б (VCBO) до 7 В;
  • ток: коллектора (IC) до 3 А; базы (IB) до 500 мА;
  • мощность рассеиваемая на коллекторе (Ptot): до 2.0 Вт; до 25 Вт (если TC до +25 oC);
  • температура: перехода (TJ) до +150 oC; хранения (Tstg) -55 … +150 oC.

При нагреве кристалла устройства (TC) до +25 oC мощность рассеивания может достигать 25 Вт.

Незначительное превышение вышеуказанных значений, даже кратковременное, может привести к нестабильной работе устройства. Продолжительная эксплуатация в максимальных режимах ведёт к необратимому разрушению корпуса и кремниевой структуры. Поэтому, для нормального и стабильного функционирования транзистора рекомендуется придерживаться электрических параметров, которые будут рассмотрены ниже.

Электрические

Электрические параметры D2012 показаны в datasheet с учётом температуры внешней среды (ТА) не более +25oC. В правой части таблицы указаны минимальные, типовые и наибольшие значения. В отдельном столбце представлены режимы измерений, при которых они получены.

Аналоги

Для вышедшего из строя 2SD2012 можно подобрать аналог, при этом необходимо знать его назначение в схеме. Похожих устройств в настоящее время немного. Чаще всего в качестве замены подходит более современный транзистор 2SB1375 в корпусе ТО-220FP. В некоторых случаях, с учётом отличающейся распиновки, можно рекомендовать отечественный КТ817В (Г).

У некоторых компаний рассматриваемый транзистор, при аналогичных параметрах, имеет немного другую маркировку. Например, компания On Semiconductor выпускает его с обозначением «KSD2012».

Производители

Первые транзисторы 2SD2012 появились в конце 90-х. Их основным производителем являлась японская компания Toshiba. В последующем выпуск аналогичных устройств подхватили Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor) и ST Microelectronics. В настоящее время производство освоили множество других компаний, в том числе китайского происхождения: Jiangsu Changjiang Electronics Technology; Micro Commercial Components; Inchange Semiconductor; Foshan Blue Rocket Electronics и другие. Скачать datasheet можно по соответствующей ссылке с названием фирмы-изготовителя.

Оцените статью
СхемаТок
Добавить комментарий

четырнадцать + 8 =

Adblock
detector