Характеристики транзистора B772 (2sb772)

Cогласно техническим характеристикам транзистор 2SB772 (B772), разработан для использования в выходном каскаде усилителя низкой частоты мощностью 1 Вт, преобразователе постоянного тока и схемах регуляторов напряжения. Он может выдерживать большой ток (3 А) и отличается небольшим напряжением насыщения. Его структура p-n-p.

Цоколевка

Изготавливается 2SB772 в корпусах для дырочного монтажа: ТО-92, ТО-126, ТО-251 и ТО-252. Есть также модификации этого транзистора для навесного SMD монтажа в оболочке SOT-89. Часто производители не наносят на корпусе первую цифру и букву, а маркируют их как «B772» Расположение и назначение выводов для всех корпусов представлено на рисунке.

2SB772 цоколевка

Технические характеристики

Важными техническими характеристиками, с которых следует начать подбор транзистора, являются предельно допустимые характеристики. От них зависят возможности 2SB772. Технические данные приведены для температуры среды +25ОС:

  • максимальная разность потенциалов между К — Б VCBO (Uкб max) = -40 В;
  • предельно возможная разность потенциалов между К — Э VCEO (Uкэ max) = -30 В;
  • наибольшая допустимая разность потенциалов между Э — Б VEBO (Uэб max) = -5 В;
  • максимальный длительный ток коллектора IC (Iк max) = -3 А;
  • импульсный коллектора I (Iк max) = -7 А;
  • постоянный базовый ток IВ (IБ max) = -0,6 А;
  • мощность на коллекторе:
    • в корпусах ТО-92 и SOT-89 РСк max) = 0,5 Вт;
    • в корпусах ТО-126, ТО-251, ТО-252 РСк max) = 1 Вт;
  • рабочая температура Tstg = -55 … +150 оС;
  • температура перехода TJ = +150 оС.

Теперь приведём электрические характеристики. От них также зависит функциональность транзистора. Они измеряются при температуре +25ОС. Значения, при которых производились измерения остальных параметров, приведены в отдельной колонке таблицы, которая озаглавлена «Условия измерения».

Электрические характеристики транзистора 2SB722 (при Т = +25 оC)
ПараметрыУсловия измеренияОбозначение.min typmaxЕденицы. изм
Пробивное напряжение К — БIC = =100 мкA, IЕ = 0V(BR)CВO-40В
Пробивное напряжение К — ЭIC=-1 мA, IВ= 0V(BR)CEО-30В
Пробивное напряжение Э — БIE= 100 мкA, IC= 0V(BR)EBO-5В
Обратный ток коллектор — базаV= -30 В, IЕ = 0ICВO-1000нА
Обратный ток коллектор — эмиттерV= -3 В, IВ = 0ICЕO-1000нА
Обратный ток эмиттераVEB = -3 В, IC = 0IEBO-1000нА
Напряжение насыщения К — ЭIC= -2 A, IB = -0,2 AV CE(sat)-0,3-0,5В
Напряжение насыщения Б — ЭIC= -2 A, IB = -0,2 AV ВE(sat)-1-2В
Граничная частота к-та усиления токаVCE =-5 В, IC =-0,1 AfT80МГц
Выходная емкостьVCB =-10V, IE =0, f=1 МГцCob45пФ

Транзисторы, входящие в серию 2SB772, в зависимости от к-та усиления делятся на следующие группы:

  • 2SB772R имеет к-т усиления от 60 … 120;
  • 2SB772O имеет к-т усиления от 100 … 200;
  • 2SB772Y имеет к-т усиления от 160 … 320;
  • 2SB772GR имеет к-т усиления от 200 … 400;
  • 2SB772Q имеет к-т усиления от 100 … 200;
  • 2SB772P имеет к-т усиления от 160 … 320;
  • 2SB772E имеет к-т усиления от 200 до 400.

Аналоги

Наиболее близкий аналог B772 называют транзистор 2SD882. Существуют также транзисторы с техническими характеристиками похожими на рассматриваемое устройство, это BD438, KTB772, HSB772S. Комплементарной парой транзистора 2SB772 является 2SD882, имеющий n-p-n структуру. Отечественных аналогов рассматриваемому прибору нет.

Производители

Основные производители транзистора 2SB772 (datasheet можно скачать кликнув на название): Unisonic Technologies, Guangdong Kexin Industrial, Inchange Semiconductor Company, Foshan Blue Rocket Electronics, DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS, Quanzhou Jinmei Electronic, Dc Components, Tiger Electronic, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, STMicroelectronics, NEC. В отечественных магазинах можно встретить продукцию таких компаний: NEC, Unisonic Technologies, Inchange Semiconductor Company.

Оцените статью
СхемаТок
Добавить комментарий

Adblock
detector