Cогласно техническим характеристикам транзистор 2SB772 (B772), разработан для использования в выходном каскаде усилителя низкой частоты мощностью 1 Вт, преобразователе постоянного тока и схемах регуляторов напряжения. Он может выдерживать большой ток (3 А) и отличается небольшим напряжением насыщения. Его структура p-n-p.
Цоколевка
Изготавливается 2SB772 в корпусах для дырочного монтажа: ТО-92, ТО-126, ТО-251 и ТО-252. Есть также модификации этого транзистора для навесного SMD монтажа в оболочке SOT-89. Часто производители не наносят на корпусе первую цифру и букву, а маркируют их как «B772» Расположение и назначение выводов для всех корпусов представлено на рисунке.
Технические характеристики
Важными техническими характеристиками, с которых следует начать подбор транзистора, являются предельно допустимые характеристики. От них зависят возможности 2SB772. Технические данные приведены для температуры среды +25ОС:
- максимальная разность потенциалов между К — Б VCBO (Uкб max) = -40 В;
- предельно возможная разность потенциалов между К — Э VCEO (Uкэ max) = -30 В;
- наибольшая допустимая разность потенциалов между Э — Б VEBO (Uэб max) = -5 В;
- максимальный длительный ток коллектора IC (Iк max) = -3 А;
- импульсный коллектора ICР (Iк max) = -7 А;
- постоянный базовый ток IВ (IБ max) = -0,6 А;
- мощность на коллекторе:
- в корпусах ТО-92 и SOT-89 РС (Рк max) = 0,5 Вт;
- в корпусах ТО-126, ТО-251, ТО-252 РС (Рк max) = 1 Вт;
- рабочая температура Tstg = -55 … +150 оС;
- температура перехода TJ = +150 оС.
Теперь приведём электрические характеристики. От них также зависит функциональность транзистора. Они измеряются при температуре +25ОС. Значения, при которых производились измерения остальных параметров, приведены в отдельной колонке таблицы, которая озаглавлена «Условия измерения».
| Электрические характеристики транзистора 2SB722 (при Т = +25 оC) | ||||||
| Параметры | Условия измерения | Обозначение. | min | typ | max | Еденицы. изм |
| Пробивное напряжение К — Б | IC = =100 мкA, IЕ = 0 | V(BR)CВO | -40 | В | ||
| Пробивное напряжение К — Э | IC=-1 мA, IВ= 0 | V(BR)CEО | -30 | В | ||
| Пробивное напряжение Э — Б | IE= 100 мкA, IC= 0 | V(BR)EBO | -5 | В | ||
| Обратный ток коллектор — база | VCВ= -30 В, IЕ = 0 | ICВO | -1000 | нА | ||
| Обратный ток коллектор — эмиттер | VCЕ= -3 В, IВ = 0 | ICЕO | -1000 | нА | ||
| Обратный ток эмиттера | VEB = -3 В, IC = 0 | IEBO | -1000 | нА | ||
| Напряжение насыщения К — Э | IC= -2 A, IB = -0,2 A | V CE(sat) | -0,3 | -0,5 | В | |
| Напряжение насыщения Б — Э | IC= -2 A, IB = -0,2 A | V ВE(sat) | -1 | -2 | В | |
| Граничная частота к-та усиления тока | VCE =-5 В, IC =-0,1 A | fT | 80 | МГц | ||
| Выходная емкость | VCB =-10V, IE =0, f=1 МГц | Cob | 45 | пФ | ||
Транзисторы, входящие в серию 2SB772, в зависимости от к-та усиления делятся на следующие группы:
- 2SB772R имеет к-т усиления от 60 … 120;
- 2SB772O имеет к-т усиления от 100 … 200;
- 2SB772Y имеет к-т усиления от 160 … 320;
- 2SB772GR имеет к-т усиления от 200 … 400;
- 2SB772Q имеет к-т усиления от 100 … 200;
- 2SB772P имеет к-т усиления от 160 … 320;
- 2SB772E имеет к-т усиления от 200 до 400.
Аналоги
Наиболее близкий аналог B772 называют транзистор 2SD882. Существуют также транзисторы с техническими характеристиками похожими на рассматриваемое устройство, это BD438, KTB772, HSB772S. Комплементарной парой транзистора 2SB772 является 2SD882, имеющий n-p-n структуру. Отечественных аналогов рассматриваемому прибору нет.
Производители
Основные производители транзистора 2SB772 (datasheet можно скачать кликнув на название): Unisonic Technologies, Guangdong Kexin Industrial, Inchange Semiconductor Company, Foshan Blue Rocket Electronics, DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS, Quanzhou Jinmei Electronic, Dc Components, Tiger Electronic, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, STMicroelectronics, NEC. В отечественных магазинах можно встретить продукцию таких компаний: NEC, Unisonic Technologies, Inchange Semiconductor Company.
