50N06, согласно технических характеристик, является N-канальным, кремниевым полевым транзистором, имеющим изолированный затвор, а также обратный диод. Он славится высокой скоростью переключения, выдерживает достаточно высокие токи (до 50 А), напряжение пробоя составляет порядка 60 В. Разрабатывался специально для применения в импульсных стабилизаторах, преобразователях, схемах управления двигателями и включения/выключения релейных модулей.
Рассматриваемый MOSFET характеризуется довольно низким сопротивлением при включении (RDS(on)) до 23 мОм. У последних SDM-версий от компаний Vishay, Infineon заявленный RDS(on) не превышает 9.3 мОм, при напряжении затвор-исток (VGS) до 10 В.
Цоколевка
У наиболее распространенного 50N06 в корпусе ТО-220 цоколевка (слева на право): 1 — затвор (З), 2 – сток (С), и 3 – исток (И). Стоит отметить, что в настоящее время существует и другие варианты исполнения устройства, расположение выводов не отличается. На изображении ниже приведены примеры распиновки для различных типов упаковки.
Абсолютные технические характеристики 50N06
- экологический стандарт проверки: DIN IEC 68-1 (зависит от производителя);
- климатические условия испытаний: 55/175/56;
- напряжение затвор-исток (VGS) до ±20 В;
- ток стока (при VGS = 10 В, TC =+25 …+100 oС): непрерывный (ID) до 50 А; импульсный (ID.Pulse) до 200 А;
- энергия одиночного импульса лавины (EAS) до 240 мДж (при ID =50 А);
- рассеиваемая мощность (Ptot) при TC =+25 oС до 136 Вт;
- температура хранения и кристалла (TSTG, TJ) -55 … +175 oС.
Не стоит превышать абсолютные значения представленных выше параметров. Постоянное использование на предельно возможных режимах эксплуатации может привести к порче изделия и выходу его из строя.
Электрические параметры
Ниже приведены значения параметров (статистических, динамических, заряда затвора, внутреннего диода) при наиболее благоприятных условиях эксплуатации рассматриваемого MOSFET. Температура кристалла (TJ), при этом, не должна превышать +25oC. Режимы измерений показаны дополнительно.
| Наименование (условное обозначение) | Режимы тестирования | Мин. | Тип. | Макс. | Ед.изм |
|---|---|---|---|---|---|
| Статические | |||||
| Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | VGS= VDS, ID= 8 мкА | 1.2 | 1.6 | 2.0 | В |
| Напряжение пробоя С-И (V(BR)DSS) | VGS= 0 В, ID= 1 мА | 55 | В | ||
| Ток стока при нулевом напряжении на контакте затвора (IDSS) | VDS= 55 В, VGS = 0 В, TJ=+25oC | 0.01 | 1.0 | мкА | |
| Сопротивление С-И в открытом состоянии (RDS(on)) | VGS=4.5 В, ID = 34 А | 12.7 | 16.7 | мОм | |
| Динамические | |||||
| Ёмкость: входная (СISS)/ выходная (СOSS) | f =1 MHz, VDS=25 В, VGS =0 В | 1800/ 508 | пФ | ||
| Обратная передаточная ёмкость (СRSS) | f =1 MHz, VDS=25 В, VGS =0 В | 172 | пФ | ||
| Время задержки: включения (td(on))/ выключения (td(off)) | RG=3.6 Ом, VGS=10 В,VDD=30 В, ID=50 A | 9/ 43 | нС | ||
| Время: нарастания (tr)/ падения (tf) | RG=3.6 Ом, VGS=10 В,VDD=30 В, ID=50 A | 29/ 12 | нС | ||
| Параметры заряда затвора | |||||
| З-И (QGS) | VGS = 0 …10 В, VDD = 44 В, ID = 50 A | 6 | 8 | нКл | |
| З-C (QGD) | VGS = 0 …10 В, VDD = 44 В, ID = 50 A | 18 | 26 | нКл | |
| Общий заряд затвора (QG) | VGS = 0 …10 В, VDD = 44 В, ID = 50 А | 54 | 69 | нКл | |
| Параметры обратного диода | |||||
| Ток: прямой (IS)/ импульсный (IS.pulse) | TC=+25oC | 50/ 200 | А | ||
| Прямое напряжение (VSD) | TJ=+25 °C, IF=50 А, VGS=0 В | 0.9 | 1.3 | В | |
| Обратное восстановление: период (trr)/ заряд (Qrr) | diF/dt = 100 A/мкс, IF=I S, VR=30 В | 52/ 99 | нС |
Значения вышеперечисленных параметров зависят в том числе от корпуса, в котором размещено устройство.
Аналоги
Почти полным аналогом 50N06, имеющим практически идентичные параметры считается MOSFET-транзисторы IRFZ44 и его различные модификации. При поиске подходящей замены можно также рекомендовать: IRLZ34, IRLR2905, 60N06. В любом случае перед применением необходимо ознакомится с их datasheet.
К отечественным аналогам возможно отнести похожие по параметрам КП723 и КП812А1.
Datasheet и производители
Основанными производителями транзистора 50N06 являются компании: Unisonic Technologies; VBsemi Electroncs; Jiangsu Donghai Semiconductor Technology; Chongqing Pingwei Enterprise; KIA Semiconductor Technology; Inchange Semconductor Company Limted; Nell Semconductor. В российских магазинах можно найти продукцию брендов: Fairchild; Infineon; Taiwan; Vishay. Скачать datasheet 50N06 можно по соответствующей ссылке.
