Мощный полевой, n-канальный транзистор 40N03P, по своим техническим характеристикам обеспечивает высокую скорость переключений, хорошую надёжность и низкое сопротивление на переходе (до 10 мОм) при включении в прямом направлении. Он широко используются в схемах с низким напряжением питания (до 30 В), преимущественно в преобразователях электрической энергии. Довольно часто встречается в импульсных блоках питания для компьютеров и другой бытовой техники.
Цоколевка
Цоколевка 40N03P в корпусе ТО-220AB, если положить транзистор перед собой и смотреть на его маркировку, следующая: затвор (З) слева, сток (С) посередине, исток (И) справа. Средний вывод физически соединен с металлической подложкой. Наглядно назначение всех контактов показано на рисунке ниже.
Согласно datasheet изделие выполнено с применением европейского экологического стандарта RoHS 2011/65/ЕС и безгалогенных требований JEDEC JS709A, прошло испытания связанные с нефиксированной индуктивной коммутацией (UIS Test). Внутри корпуса между выводами стока и истока размещён встроенный диод.
Технические параметры
Рассмотрим более подробно технические параметры 40N03P. Стоит отметить, что согласно техописания (datasheet) данное устройство является низковольтным MOSFET-транзистором созданным с применением получившей развитие в 2000-х годах технологии TrenchFET компании IRF. Данная разработка позволила сделать кристалл более компактным, уменьшить себестоимости продукции, а также качественно улучшить характеристики изделия в части коммутационных свойств и снижения потерь проводимости.
Основные характеристики транзистора 40N03P (при ТА = 25 oС):
- максимальное напряжение сток-исток (V DS) — до 30 В;
- максимальный ток стока (I D) — до 55 A;
- сопротивление проводящего канала сток-исток (R DSon) — от 0.010 Ом;
- рассеиваемая мощность (P D) — до 120 Вт;
- общий заряд затвора (Q g) — от 25 нС;
- Температура кристалла (T J) -55 ОC … +150ОC.
Превышение указанных параметров может привести к выходу изделия из строя. Поэтому производители в datasheet кроме максимальных значений указывают номинальные или электрические.
Электрические параметры
В таблице ниже представлены типовые электрические параметры 40N03P. Все значения справедливы для температур окружающей среды (ТА) не более + 25 oС. В отдельной графе приведены режимы измерений.
Тепловые параметры
Мощные полевые транзисторы довольно сильно греются под нагрузкой, особенно при работе на предельных значениях параметров. Поэтому в datasheet, кроме основных характеристик, приводятся тепловые показатели использования. Для предотвращения перегрева и отвода тепла обычно используют радиатор.
Аналоги
Для замены 40N03P подойдут любые низковольтные MOSFET-транзисторы с максимальным напряжением VDS от 30 В и выше. В этом качестве обычно используют IRFZ44N, 40N10, SSM40N03P или RFP50N06. У отечественных производителей аналогов не существует.
Производители
40N03P является разработкой китайской электронной промышленности. Его основным производителем считается VBsemi Electronics. Скачать datasheet в pdf-формате можно по ссылке.
