Характеристики транзистора 2N7000

2N7000 по своим техническим характеристикам представляет из себя N-канальный полевой транзистор. Он изготовлен по DMOS-технологии, широко применяемой в своих решениях в начале 90-х компанией Fairchild Semiconductor. Подходит для эксплуатации в приложениях с небольшими токами, не превышающими 0.4 А, либо импульсными до 2.0 А. Довольно часто используется в устройствах управления сервоприводами или с более мощными полевиками MOSFET во вторичных схемах питания.

На основе рассматриваемого транзистора компания Vishay успешно реализует микросхемы VQ1000J/P.

Цоколевка

Цоколевка 2N7000 зависит от варианта корпусного исполнения. В настоящее время такие транзисторы наиболее распространены в пластиковых упаковках ТО-92, у которых назначение выводов следующее: исток (И) слева, посередине затвор (З) и справа сток (С). Подробная информация по распиновке представлена на рисунке.

Цоколевка 2N7000

У 2N7000 в упаковке SOT-23 расположение выводов (слева на право): затвор, сток, исток.

Технические характеристики

Знакомясь с основными характеристиками 2N7000 можно отметить его следующие положительные качества: надёжность при эксплуатации; прочность кремниевой структуры; низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on) от 1.2 Ом); хорошая частота переключений (ton от 7 нс); начальный порог открытия (VGS от 2.1 В). Благодаря применению DMOS, рассматриваемый транзистор оптимизирован для работы с высокими напряжениями и для коммутации больших токов. Наличие толстого подзатворного оксидного слоя в конструкции изделия значительно увеличивает сроки его использования.

Максимальные

Максимальные характеристики 2N7000 (ТА=+25OC):

  • напряжение: С-И (VDSS) до 60 В; С-З (VDRG) до 60 В, при (RGS < 1 МОм); З-И (VGSS) ± 20 В или ± 40 В, при tp<50 мкс;
  • ток (ID): постоянный до 200 мА; импульсный до 500 мА;
  • рассеиваемая мощность (PD): до 400 мВт;
  • температуры хранения и работы (TSTG, TJ): -55 … +150 OC.

Вышеуказанные параметры справедливы когда температура окружающей среды не превышает +25OC, если нет других данных. Не допускается продолжительная эксплуатация устройства на максимальных значениях, или их превышение. В последнем случае транзистор чаще всего выходит из строя.

Электрические

По максимальным параметрам можно определить предельные возможности транзистора, однако при их достижении он чаще всего выходит из строя. Ниже представлена таблица электрических характеристик 2N7000, в которой указаны номинальные значения, при соблюдении которых производитель гарантирует стабильно долгую и продолжительную работу. Все величины указаны для рекомендуемых режимов измерений и условий эксплуатации.

Электрические параметры 2N7000

Аналоги

Иногда, для замены в схеме 2N7000 можно использовать зарубежный аналог. Такими транзисторами, с почти полностью идентичными параметрами, являются BS170, BS270 и 2N7002. Из отечественных устройств можно рекомендовать КП214А9.

Производители

Производством 2N7000 занимаются многие зарубежные компании, datasheet некоторых из них можно скачать по ссылке с наименованием: STMicroelectronics; Unisonic Technologies; Supertex; SeCoS Halbleitertechnologie GmbH; Diodes Incorporated; Motorola. В российских магазинах наиболее часто встречается продукция: ON Semiconductor; Microchip Technology; Vishay Siliconix;, Fairchild. Техническая информация на русском языке тут.

Оцените статью
СхемаТок
Добавить комментарий

два × 3 =

Adblock
detector