Характеристики транзистора 2N60B

В статье рассмотрены основные характеристики мощного MOSFET транзистора 2N60B. Наибольшую популярность он приобрёл в конце 90-х, когда западная электронная промышленность стала повсеместно использовать в своих разработках новую технологию DMOS. В России стал известен благодаря компании Fairchild Semiconductor, которая выпускала его в те годы в больших количествах.

2n60b обладал, для своего времени, минимальным сопротивлением во включённом состоянии (RDS до 5 Ом) и очень низким заряда затвора (типовое значение QG=12.5 нКл). Характеризовался высокой устойчивостью к импульсным перегрузкам в различных режимах эксплуатации. Сейчас этот транзистор считается морально устаревшим, однако отдельные производители бытовой электроники продолжают использовать его в разнообразных блоках питания, системах управления двигателями, схемах высокоскоростной коммутации сигналов и др.

Распиновка

«2n60b» – это сокращённое наименование устройства. Так его называют на различных форумах по радиодеталям. В полной маркировке транзистора содержится префикс «SSP», «SSS», «SSW» или «SSI», который даёт понимание о внешнем виде изделия и его особенностях.

Распиновка 2n60b

Первоначально 2N60B выпускался в пластиковых упаковках ТО-220 и ТО-220F. В настоящее время изделие производят в корпусах D2-PAK и I2-PAK. Внешний вид и распиновка представлены выше. Расположение выводов у всех (слева на право): затвор (G), исток (D), сток (S).

Вывод истока (S) физически соединён с металлической подложкой пластикового корпуса.

Технические характеристики

Информация по всем эксплуатационным параметрам взята из datasheet на 2n60b компании Fairchild Semiconductor. Значения характеристик представлены для устройств обоих типов корпусного исполнения. Производитель, в своём технической документации, указал их с учётом возможной температуры кристалла (TC) не превышающей +25°С.

Максимальные параметры

Максимальные характеристики для 2n60b (при ТС=+25°С):

  • напряжение между стоком и истоком VDSS = 600 В;
  • постоянный ток идущий через сток: при TC=25°C ID = 2.0 A; при TC =100°C ID = 1.3 A.
  • импульсный ток стока IDM = 6.0 A;
  • напряжение между затвором и истоком VGSS = ±30 В;
  • энергия одного импульса EAS =120 мДж;
  • ток лавинного пробоя IAR = 2.0 A;
  • энергия серии импульсов EAR = 5,4 мДж;
  • скорость восстановления диода dv/dt = 5,5 В/нс;
  • мощность рассеивания: PD = 3,13 Вт (TA = 25°C); PD = 54 Вт (TC = 25°C);
  • диапазон рабочих температур Tstg 55°C … +150°C;
  • нагрев контактов при пайке TL до 300°C.

Превышение максимальных параметров может привести к выходу устройства из строя или значительно сократить сроки его полезного использования.

Электрические параметры

Рассмотрим электрические (номинальные) параметры MOSFET-транзистора 2N60B (на русском). Условия их измерений представлены в отдельном столбце. Все значения действительны для температуры ТС не более +25°С.

Электрические параметры 2n60b

Аналоги

Полных аналогов 2N60B не существует. В настоящее время его можно поменять на более современные и лучшие по параметрам транзисторы. Например, такие: STP3NK60Z, STP3NK60ZFP, STB3NK60Z, STD3NK60Z, 2SK3767. Или более мощные: 4N60, 6N60, 10N60. При этом стоит учитывать, что расположение выводов и корпуса некоторых из указанных устройств могут быть другими. В любом случае перед заменой необходимо  ознакомиться с их datasheet.

Производители

Основным производителем 2N60B, особенно в 2000-х, считалась Fairchild Semiconductor. Именно её транзисторы чаще всего встречаются на прилавках российских магазинов радиотоваров. В 2016 г. данную компанию поглотила корпорация ON Semiconductor. Скачать datasheet можно по ссылкам 1, 2.

Оцените статью
СхемаТок
Добавить комментарий

Adblock
detector