Характеристики транзистора 2N5551

 

2n5551– биполярный, n-p-n, высокочастотный кремниевый транзистор средней рассеиваемой мощности. Предназначен для усилителей работающих с высоким напряжением, драйверов газоразрядных дисплеев, а так же может использоваться в кочевом режиме. Применяется в работе низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов и повышенным напряжением питания.

Распиновка транзистора 2n5551

Данное устройство производится в двух типах корпусов ТО-92 (2n5551) и SOT-23 (MMBT5551). В корпусе ТО-92 имеет следующий вид:

2n5551 цоколевка

Цоколевка в корпусе SOT-23 (MMBT5551) такая:

цоколевка MMBT5551

Основные технические характеристики 2n5551

При температуре окружающей среды +25 градусов (°C), транзистор 2n5551 имеет следующие технические значения:

физические:

  • принцип действия – биполярный;
  • корпус ТО-92, для транзистора MMBT5551 корпус SOT-23;
  • материал корпуса – пластиковый корпус;
  • материал транзистора — аморфный кремний (amorphous silicon) (Si);

MMBT5551 — это точная копия по параметрам транзистора 2N5551 в корпусе SOT-23

электрические:

  • проводимость — обратной проводимости n-p-n;
  • максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс. (Ic max) 600 мА (mA);
  • максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) U КЭ макс (VCE max) не более 160 В (V);
  • максимально допустимое обратном напряжении на коллекторном переходе, между коллектором и базой (Collector-Base Voltage) U КБ макс. (VCB max) не более 180 В (V);
  • максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage) UЭБ макс. (VЕВ max) не более 6 В (V);
  • граничная частота передачи тока (Current Gain Bandwidth Product) fгр (ft) от 100 до 300 МГц (MHz);
  • максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО (ICBO) не более 0.05 мкА (µA), при U КБ макс. (VCBО ) = 120 В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора IЭ (IE)=0);
  • максимальный обратный ток эммитера (Emmiter Cutoff Current) IЭБО (IEBO) не более 0.05 мкА (µA), при U EБ макс. (VEBО ) = 4 В (V) и отключенном коллекторе (ток коллектора IК (IС)=0);
  • для ТО-92 максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе (Maximum Collector Dissipation) PK макс. (PC) 0,625 Вт (Watt) или 625 мВт (mW);
  • для SOT-23 максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе (Maximum Collector Dissipation) PK макс. (PC) 0,350 Вт (Watt) или 350 мВт (mW);
  • максимальная температура хранения и эксплуатации (Max Storage & Operating temperature Should be) от — 55 до +150 °С;

Классификация по hFE

  • коэффициент усиления по току (Minimum & maximum DC Current Gain) находится в пределах от 80 до 250 hFE, при UКЭ макс. = 5 В (V) и IK макс.  =  10 мА (mA).

Возможны небольшие отличия в характеристиках у разных производителей.

Комплементарная пара

Комплементарным аналогом, с прямой проводимостью (p-n-p), является транзистор 2N5401 или российский КТ6116А. В основном, они отличаются от рассматриваемого образца только коэффициентом усиления по току от 60 до 240 hFE.

Маркировка

Транзистор промаркирован по американской системе обозначения полупроводниковых приборов JEDEK: 2-транзистор, N-типоминал, 5551-серийный номер.

транзистор 2n5551

При маркировке транзистора некоторые производители на его корпусе иногда указывают только последние четыре цифры 5551.

Аналоги

Международный эквивалент, незначительно отличающийся по параметрам 2n5550. На отечественном рынке представлено российский аналог КТ6117.

Где и как использовать ?

Это транзистор частенько встречается в различных схемах с большим напряжением на нагрузке. Напряжение, которое он может пропустить через контакты коллектора и эмиттера достигает 160 В. Может использоваться в качестве электронного ключа для включения нагрузок до 600 мА.

Этого тока достаточно для работы с различными незначительными нагрузками, а так же использования его в качестве транзистора дифкаскада. Для любителей паять электронные схемы в сети интернет широко распространена статья “Собираем Lazar” по сборке усилителя мощности звуковой частоты “Лазар” с полным описанием процесса, в котором 2N5551 используется парно.

Как безопасно работать в цепи?

При покупке убедитесь, что он именно то, что Вам нужно. Иногда достаточно подобрать аналог для работы Вашего устройства. Чтобы безопасно запустить этот транзистор в Вашей схеме, не эксплуатируйте его с напряжением выше 160 В и нагрузкой более 600 мА. Используйте подходящий базовый резистор, который ограничит ток базы до требуемого уровня. Не допускайте нагрев более 150 и менее минус 60 °С.

Производители

Motorola;

ON Semiconductor Corporation;

Semtech Corporation (SMTC);

Boca Semiconductor Corporation;

KOREA Electronics (KEC);

Micro Electronics;

Kodenshi AUK Group;

Transys Electronics Limited.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector