Транзистор 13009 (MJE13009)

 

Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балластах), схемах управления моторами и работы релейных модулей.

Распиновка

Распространены в пластмассовом корпусе для силовых транзисторов ТО-220 и различных его модификациях (ТО-220AB, TO-220-3), или более мощных TO-3PN, ТО-225, ТО-247. Считается, что современный TO-3PN лучше отводит тепло при нагреве устройства и действительно в большинстве случаев именно он встречаются в мощных блоках питания (1 КВт и больше). Цоколевка 13009 у большинства производителей одинаковая, если смотреть на транзистор спереди, то его выводы слева на право такие:

  • 1. База (B);
  • 2. Коллектор (C);
  • 3. Эмиттер (Э).

Распиновка 13009

Технические характеристики транзистора MJE13009

При температуре окружающей среды +25 °C, если не указано иного, имеет такие параметры:

физические:

  • биполярный транзистор;
  • корпус ТО-220, ТО-3PN;
  • материал корпуса  – пластик;
  • кристалл — кремний (Si);

электрические (допустимые):

  • проводимость – NPN;
  • UКЭ макс (VCE max) до 400 В (V);
  • UКЭВ (VCEV) 700 В (V), при UБЭ(VBE) = -1.5 В (V);
  • UЭБ макс (VЕВ max) до 9 В (V);
  • IK  (IC) 12 А, IK макс (IC max) до 24 А;
  • IБ. (IB) 6А, импульсный пиковый IБ пик. (IB max) до 12 А, при tp≤10 мc (ms);
  • IЭ (IE) 18А, импульсный пиковый  IЭ пик. (IE max) до 36 А, при tp≤10 мc (ms);
  • P (Ptod)= 100 Вт (W), при Tc ≤ 25°C и использовании радиатора;
  • FГр мин.(ft MIN) 4 МГц (MHz), при U КЭ  (VCE ) =10 В (V), IK (Ic )= 0,5 А;
  • UКЭ.раб.(VCEO sus) 400 В (V), при IC (IК) = 10 мA(mA), IБ (IB)=  0;
  • IКЭВ (ICEV) 1 мА (mA) при UКЭВ (VCEV) = 700 В (V), до 5 мА (mA) при повышении Tраб (Tamb) до 150 °C;
  • IЭБО (I EBO) ≤1 мА (mA), при U EБ (VEB ) = 9 В (V) и IК (IС)=0);
  • выходная емкость C22б (Cob) = 180 пФ (pF);

напряжение насыщения между коллектором и эмиттером UКЭ нас. (VBE sat):

Напряжение насыщения КЭ у 13009

напряжение насыщения между базой и эммитером UБЭ нас. (VBE sat):

Напряжение насыщения БЭ у 13009

коммутационные характеристики (при UКЭ =120 В, IK =8 A, IБ вкл=1.6А, IБ выкл.= -1.6А):

  • время задержки tзад (td) = 0.1 мкс (µs);
  • время включения tвкл (ton) = 1.1 мкс (µs);
  • время спада tсп (tf)  = 0.7 мкс (µs);
  • время рассасывания tРАС (ts) = 3 мкс (µs);

тепловые:

  • Тепловое сопротивление перехода кристалла к корпусу RθJC = 1.26 °C/W (°C/Вт);
  • Тепловое сопротивление корпуса к окружающей среде RθCA= 62.5 °C/W (°C/Вт);
  • Общее тепловое сопротивление RθJA= 100 °C/W (°C/Вт);
  • Tперехода (Tj) ≤ + 150 °C;
  • Tхран.(Tstr) от — 65 до + 150 °C;
  • Tраб.(Tamb) от — 65 до + 150 °C;
  • Tпайки (TL) до 275 °C.

Символ Rθ используется в технической литературе для обозначения теплового сопротивления радоэлементов.

коэффициент усиления по току у транзистора 13009  находится в пределах от 8 до 40 Hfe.

Коэффициент по току 13009

Параметры 13009 у различных производителей незначительно отличаются.

Комплементарная пара

Комплементарная пара отсутствует.

Маркировка

Транзистор, чаще всего, обозначен на корпусе только цифрами. Цифры “13009” обозначают серийный номер в американской системе JEDEC. Считается, что впервые данный транзистор произвела американская компания Motorola. Символы mje, в начале маркировки транзистора указывали на брэнд именно этой компании. После 1999 года, когда компания Motorola была реструктуризирована, с символов «MJE» начинается маркировка данного транзистора у других производителей, не связанных с этой компанией. В то же время ON Semiconductor, дочерняя компания Motorola, так же продолжает выпускать эти транзисторы с указанием mje13009 на корпусе.
Вид MJE13009 от ONSemicunductor
Более именитые из производители, вместо MJE, указывают в начале маркировки первые буквы из названия своих компаний: ST13009 (ST Microelectronics), J13009,FJP13009 (Fairchild), PHE13009 (WeEn Semiconductors).

Замена и эквиваленты

Для 13009 можно подобрать замену из зарубежных транзисторов похожих по своим характеристикам: D209L, 2SC2335, BUT12A, BUJ106A или отечественного КТ8138И, КТ8209А, КТ8260А. Они немного отличаются характеристиками от рассматриваемого в статье устройства, поэтому перед заменой стоит ознакомится с их техническим описанием и выбрать наиболее подходящий для замены. Полными аналогами 13009, но с немного заниженными характеристиками являются mje13005, mje13007, mje13008. Они чаще всего встречаются в корпусе ТО-220.

Особенности

13009, по своим характеристикам, является силовым транзистором, который сильно греется при работе. Поэтому он выпускается в корпусе, обеспечивающим тепловой контакт между его металлической поверхностью и внешним радиатором. Металлическая поверхность устройства связана электрически с коллектором.

Безопасность при эксплуатации

Максимальное рабочее напряжение, которое может выдержать  транзистор (UКЭ)  должно быть не более 400 В, при IК = 10 мA. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер (UКЭВ) при запирающем напряжении в цепи база-эммитер (UБЭ) не должно быть больше 700 В.

Соблюдайте тепловые параметры при работе устройства. Установка транзистора на радиатор является одним из необходимых условий его правильной работы. Не допускайте сильного увеличения постоянной мощности рассеивания Ptod. При превышении максимально допустимой мощности рассеивания (более 100 Вт) транзистор перегреется и выйдет из строя. Рабочая температура устройства не должна превышать максимально допустимую — 150 °C. Хранение и эксплуатация устройства должна находится в пределах от -55 до +150 °C.

Производители

Выберите производителя, чтобы ознакомится с его DataSheet на 13009:

MOTOROLA;
ON Semiconductor;
MOSPEC Semiconductor;
SavantIC Semiconductor;
STMICROELECTRONICS (STMicroelectronics);
UTC (Unisonic Technologies);
TGS (Tiger Electronics).

Русская версия даташит.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector