Параметры транзистора 13001 s8d

 

Биполярный транзистор 13001 S8D нашел широкое применение в сфере радиоэлектронике малой мощности. Производителем его является компания «SHENZHEN JTD ELECTRONICS». Выпускается он в пластиковом корпусе типа ТО-92 со следующий цоколевкой:

Распиновка 13001S8D

  1. Эмиттер
  2. Коллектор
  3. База

Зарекомендовал себя как качественный продукт, с почти не ограниченным сроком службы при эксплуатации в условиях не превышающий допустимых значений.

Характеристики и аналоги 13001 S8D

Транзистор 13001S8D имеет следующие предельные значение ( Tj = 25 ℃, если не указано иное):

ПараметрУсловное обозначениеЗначениеЕдиница измерения
Напряжение коллектор-базаVCBO600V
Напряжение коллектор-эмиттерVCEO400V
Напряжение Эмиттер-БазаVEBO7V
Ток коллектораIc0.5A
Полная рассеиваемая мощностьPc0.65W
Температура храненияTstg-65~150
Температура соединенияTj150

Также приведем электрические параметры:

ПараметрУсловное обозначениеУсловия испытанийMin MaxЕдиница измерения
Напряжение пробоя коллектор-базаBVCBO Ic=0.5mA,Ie=0 600V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттерBVCEOIc=10mA,Ib=0 400V
Напряжение пробоя базы эмиттераBVEBO Ie=1mA,Ic=07V
Ток отсечки коллекторной базыICBOVcb=600V,Ie=0100μA
Ток отключения коллектор-эмиттерICEOVce=400V,Ib=020μA
Ток отсечки эмиттер-базыIEBOVeb=7V,Ic=0100μA
Усиление постоянного токаhFEVce=20V,Ic=20mA10 40
Напряжение насыщения коллектор-эмиттерVCE(sat)Ic=200mA,Ib=100mA0.6V
Напряжение насыщения базы-излучателяVBE(sat)Ic=200mA,Ib=100mA1.2V
Время храненияTsIc=0.1mA, (UI9600)2μS
Время паденияfTVCE =20V,Ic=20mA
f=1MHZ
0.8μS

Аналоги  13001 S8D являются схожие по всем техническим значения биполярные NPN Транзисторы.

 

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector