Транзистор 13001

13001 – кремниевый,  эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Так же его можно встретить в схемах низкочастотных усилителей в качестве усилителя звукового сигнала.

Цоколевка

Транзисторы в корпусе ТО-92 у разных производителей отличатся по порядковому номеру вывода. Самая распространённая цоколевка выводов 13001 такая: 1 -база Б (B), 2 — коллектор К (C),3 – эмиттер Э (E). У известного производителя TSMC, с аналогичной маркировкой на корпусе, номера ножек 1–Э (E), 2-К (C), 3-Б (B), а у транзисторов с маркировкой mje 3–Э (E), 2-К (C), 1-Б (B).Так выглядит распиновка 13001-SOT-23 (производитель YFWDIODE)

Параметры

Основные технические параметры 13001 (при температуре окружающей среды +25 °C) следующие:

физические:

• принцип действия – биполярный;
• корпус ТО-92 или SOT-23;
• материал корпуса – пластик;
• материал – монокристаллический кремний;

электрические (для устройства в корпусе ТО-92):

• проводимость – n-p-n (обратная);
• I_{K макс.} (I_{c max}) не более 200 мА (mA);
• U_{КЭ макс.} (V_{CE max}) не более 400 В (V);
• U_{КБ макс.} (V_{CB max}) не более 500 В (V);
• U_{ЭБ макс.} (V_{ЕВ max}) не более 9 В (V);
• U_{КЭ нас.} (V_{CE sat}) не более 0.5 В (V), при I_K (I_c)=50 мА (mA) и I_Б (I_c)= 10 мА (mA);
• U_{КЭ нас.} (V_{CE sat}) не более 1.2 В (V), при I_K (I_c)=50 мА (mA) и I_Б (I_c)= 10 мА (mA);
• f_гр (f_t) от 8 МГц (MHz), при U _{КЭ =} 20 В (V), I_K = 20 мА (mA);
• U_{КБ макс.} (V_{CB max} ) = 500 В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора I_Э (I_E)=0;
• I_КЭО (I_CEO) не более 200 мкА (µA), при U _{КЭ макс.} (V_{CE max} ) =400 В (V) и I_Б (I_B)=0;
• I_ЭБО (I_EBO) не более 100 мкА (µA), при U _{EБ макc.} (V_{EB max} ) = 9 В (V) и I_К (I_С)=0;
• P_{K макс.} (P_C) 0,75 Вт (W);
• T_раб. (T_j) не более + 150 °C;
• T_хран. (T_str) от — 55 до + 150 °C.;
• H_fe при U_КЭ = 20 В (V) и I_K =  20 мА (mA) от 10 до 40 , при U_КЭ = 10 В (V) и I_K  =  0,25 мА (mA) — 8;

электрические (для устройств в корпусе SOT-23):

• проводимость – n-p-n;
• I_K (I_{c max}) 200 мА (mA);
• U_КЭО (V_CEO) ≤ 500 В (V);
• U_КБО (V_CBO) ≤ 800 В (V);
• U_ЭБО  (V_ЕВO) ≤ 9 В (V);
• U_{КЭ нас.} (V_{CE sat}) ≤ 0.5 В (V), при I_K (I_c) = 50 мА (mA) и I_Б (I_c)= 10 мА (mA);
• U_{КЭ нас.} (V_{CE sat}) ≤1.2 В (V), при I_K (I_c) = 50 мА (mA) и I_Б (I_c)= 10 мА (mA);
• f_гр (f_t) 8 МГц (MHz), при U _{КЭ =} 20 В (V), I_K = 20 мА (mA);
• I_КБО (I_CBO) ≤1 мкА (µA) при U _КБ (V_CBО) = 600 В (V);
• I_КЭО (I_CEO) ≤10 мкА (µA), при U _КЭ (V_CEО ) = 400 В (V) и I_Б (I_B)=0;
• I_ЭБО (I_EBO) ≤1 мкА (µA), при U _EБ (V_EBО ) = 9 В (V) и I_К (I_С)=0;
• P_K (P_C) = 0,5 Вт (W);
• T_раб. (T_j) ≤ + 150 °C.;
• T_хран. (T_str) от — 55 до + 150 °C.;
• H_fe при U_КЭ = 20 В (V) и I_K  =  20 мА (mA) 8 H_fe, при U_КЭ = 5 В (V) и I_K =  1 мА (mA) от 10 до 30 H_fe.

Комплементарная пара

Комплементарный аналог у 13001 отсутствует.

Маркировка

Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001.  SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.

Будьте внимательны ! Цоколевка транзисторов 13001, TS13001, MJE13001 разная.

Замена и аналоги

В качестве замены подойдут более мощные транзисторы серии 13000: 13002, 13003, 13005, 13007, 13009, MJE13002, MJE13003, MJE13005. При этом придется учесть немного большие размеры корпусов и распиновку, которая тоже может отличаться. Российский аналог 13001 являются транзистор КТ538А, и очень похожий по параметрам, но в другом корпусе транзистор КТ8270А.

Использование

Транзистор 13001 самые маломощные в линейке 13000. Его используют там, где не нужны высокие токи. Например в пускорегулирующих устройствах для люминисцентных ламп малой мощности и во многом другом.

Интересный факт что транзистор 13001 ставят в лягушки (зарядное устройства) в который из за сильного нагревания он часто выходит из строя.

Можно попробовать сделать усилитель низкой частоты своими руками.

Безопасность в использовании

Не допускайте повышения напряжения в цепи К-Э более 500 В и коллекторного тока более 200 мА. Подберите подходящий базовый резистор, который ограничит ток базы до требуемого уровня. Не допускайте перегрева более +150 °С. Пайка выводов допускается не ближе 5 миллиметров от корпуса устройства, не более 2-3 секунд на каждый электрод. Предельная температура пайки не должна быть больше  +250 °С.

Производители

DGNJDZ (Nanjing International Group);

Semtech Electronics Ltd.;

YFWDIODE (Dongguan you feng wei electronics).