Транзистор 13001

 

13001 – кремниевый,  эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Так же его можно встретить в схемах низкочастотных усилителей в качестве усилителя звукового сигнала.

Цоколевка

Транзисторы в корпусе ТО-92 у разных производителей отличатся по порядковому номеру вывода. Самая распространённая цоколевка выводов 13001 такая: 1 -база Б (B), 2 — коллектор К (C),3 – эмиттер Э (E). У известного производителя TSMC, с аналогичной маркировкой на корпусе, номера ножек 1–Э (E), 2-К (C), 3-Б (B), а у транзисторов с маркировкой mje 3–Э (E), 2-К (C), 1-Б (B).13001 распиновкаТак выглядит распиновка 13001-SOT-23 (производитель YFWDIODE)

цоколевка 13001 sot23

Параметры

Основные технические параметры 13001 (при температуре окружающей среды +25 °C) следующие:

физические:

  • принцип действия – биполярный;
  • корпус ТО-92 или SOT-23;
  • материал корпуса – пластик;
  • материал – монокристаллический кремний;

электрические (для устройства в корпусе ТО-92):

  • проводимость – n-p-n (обратная);
  • IK макс. (Ic max) не более 200 мА (mA);
  • UКЭ макс. (VCE max) не более 400 В (V);
  • UКБ макс. (VCB max) не более 500 В (V);
  • UЭБ макс. (VЕВ max) не более 9 В (V);
  • UКЭ нас. (VCE sat) не более 0.5 В (V), при IK (Ic)=50 мА (mA) и IБ (Ic)= 10 мА (mA);
  • UКЭ нас. (VCE sat) не более 1.2 В (V), при IK (Ic)=50 мА (mA) и IБ (Ic)= 10 мА (mA);
  • fгр (ft) от 8 МГц (MHz), при U КЭ = 20 В (V), IK = 20 мА (mA);
  • UКБ макс. (VCB max ) = 500 В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора IЭ (IE)=0;
  • IКЭО (ICEO) не более 200 мкА (µA), при U КЭ макс. (VCE max ) =400 В (V) и IБ (IB)=0;
  • IЭБО (IEBO) не более 100 мкА (µA), при U EБ макc. (VEB max ) = 9 В (V) и IК (IС)=0;
  • PK макс. (PC) 0,75 Вт (W);
  • Tраб. (Tj) не более + 150 °C;
  • Tхран. (Tstr) от — 55 до + 150 °C.;
  • Hfe при UКЭ = 20 В (V) и IK =  20 мА (mA) от 10 до 40 , при UКЭ = 10 В (V) и IK  =  0,25 мА (mA) — 8;

электрические (для устройств в корпусе SOT-23):

  • проводимость – n-p-n;
  • IK (Ic max) 200 мА (mA);
  • UКЭО (VCEO) ≤ 500 В (V);
  • UКБО (VCBO) ≤ 800 В (V);
  • UЭБО  (VЕВO) ≤ 9 В (V);
  • UКЭ нас. (VCE sat) ≤ 0.5 В (V), при IK (Ic) = 50 мА (mA) и IБ (Ic)= 10 мА (mA);
  • UКЭ нас. (VCE sat) ≤1.2 В (V), при IK (Ic) = 50 мА (mA) и IБ (Ic)= 10 мА (mA);
  • fгр (ft) 8 МГц (MHz), при U КЭ = 20 В (V), IK = 20 мА (mA);
  • IКБО (ICBO) ≤1 мкА (µA) при U КБ (VCBО) = 600 В (V);
  • IКЭО (ICEO) ≤10 мкА (µA), при U КЭ (VCEО ) = 400 В (V) и IБ (IB)=0;
  • IЭБО (IEBO) ≤1 мкА (µA), при U EБ (VEBО ) = 9 В (V) и IК (IС)=0;
  • PK (PC) = 0,5 Вт (W);
  • Tраб. (Tj) ≤ + 150 °C.;
  • Tхран. (Tstr) от — 55 до + 150 °C.;
  • Hfe при UКЭ = 20 В (V) и I =  20 мА (mA) 8 Hfe, при UКЭ = 5 В (V) и IK =  1 мА (mA) от 10 до 30 Hfe.

Комплементарная пара

Комплементарный аналог у 13001 отсутствует.

Маркировка

Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001.  SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.

13001 s8d транзистор

Будьте внимательны ! Цоколевка транзисторов 13001, TS13001, MJE13001 разная.

Замена и аналоги

В качестве замены подойдут более мощные транзисторы серии 13000: 13002, 13003, 13005, 13007, 13009, MJE13002, MJE13003, MJE13005. При этом придется учесть немного большие размеры корпусов и распиновку, которая тоже может отличаться. Российский аналог 13001 являются транзистор КТ538А, и очень похожий по параметрам, но в другом корпусе транзистор КТ8270А.

Использование

Транзистор 13001 самые маломощные в линейке 13000. Его используют там, где не нужны высокие токи. Например в пускорегулирующих устройствах для люминисцентных ламп малой мощности и во многом другом.

Интересный факт что транзистор 13001 ставят в лягушки (зарядное устройства) в который из за сильного нагревания он часто выходит из строя.

Можно попробовать сделать усилитель низкой частоты своими руками.

Безопасность в использовании

Не допускайте повышения напряжения в цепи К-Э более 500 В и коллекторного тока более 200 мА. Подберите подходящий базовый резистор, который ограничит ток базы до требуемого уровня. Не допускайте перегрева более +150 °С. Пайка выводов допускается не ближе 5 миллиметров от корпуса устройства, не более 2-3 секунд на каждый электрод. Предельная температура пайки не должна быть больше  +250 °С.

Производители

DGNJDZ (Nanjing International Group);

Semtech Electronics Ltd.;

YFWDIODE (Dongguan you feng wei electronics).

 

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector